增强模式 GaN FET

Nexperia 增强模式 GaN FET 是低功率 650 V 应用的理想选择，在电力系统中提供最佳的灵活性。得益于极低的 QC 和 QOSS 值，它们可提供卓越的开关性能，从而提高 650 V AC/DC 和 DC/AC 电源转换的效率，并显著节省 BLDC 和微型伺服电机驱动器或 LED 驱动器的空间和 BOM。Nexperia 的产品组合包括五个 R_DS(ON) 值在 80 mΩ 和 190 mΩ 之间的 650 V 额定增强模式 GaN FET，采用 DFN 5 mm x 6 mm 和 DFN 8 mm x 8 mm 封装。它们提高了高压、低功率 (<650 V) 数据通信/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中的功率转换效率。它们还可用于设计无刷直流电机和微型服务器驱动器，以实现更高扭矩和更大功率的精度。