BUK7J2R4-80MX/BUK7Y3R1-80MX N 沟道 MOSFET

Nexperia BUK7J2R4-80MX 和 BUK7Y3R1-80MX 高性能 N 沟道 MOSFET 采用了最新的 Trench 14 低电阻分裂栅极技术。这些 MOSFET 采用了紧凑的 LFPAK56E 封装，确保了超低 R_DS(on) 和高效率。这两种型号都完全符合 AEC-Q101 标准，非常适合要求严格的汽车应用。BUK7J2R4-80MX 的最大漏极电流为 231 A，漏源电压为 80 V，而 BUK7Y3R1-80MX 在相同额定电压下支持 160 A 的连续漏极电流。这些 MOSFET 提供快速高效的开关、最佳阻尼和低尖峰，确保了各种电源管理和控制系统的可靠性能。