TN2130 MOSFET

Microchip 的 TN2130 是一款 300 V 25 Ω N 沟道增强模式 MOSFET

Microchip 的 TN2130 MOSFET 图片Microchip 的 TN2130 低阈值、增强模式(常关)晶体管采用了垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种工艺组合使得该器件既具有双极晶体管的功率处理能力,又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该设备无热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

特性
  • 免于二次击穿
  • 低功耗驱动要求
  • 易于并联
  • 低 CISS 和快速的开关速度
  • 出色的热稳定性
  • 集成源漏二极管
  • 高输入阻抗和高增益

TN2130 MOSFET

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 300V 85MA TO236ABTN2130K1-GMOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB4717 - 立即发货$3.74查看详情
MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3TN2130K1-G-VAOMOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-30 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期: 2022-10-26