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TN2130 MOSFET
Microchip 的 TN2130 是一款 300 V 25 Ω N 沟道增强模式 MOSFET
Microchip 的 TN2130 低阈值、增强模式（常关）晶体管采用了垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种工艺组合使得该器件既具有双极晶体管的功率处理能力，又具有 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该设备无热失控和热引起的二次击穿。垂直 DMOS FET 非常适合需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
特性
- 免于二次击穿
- 低功耗驱动要求
- 易于并联
- 低 CISS 和快速的开关速度
- 出色的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
TN2130 MOSFET
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TN2130K1-G | MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB | 5982 - 立即发货 | $3.74 | 查看详情 |
 | TN2130K1-G-VAO | MOSFET N-CH 300V 85MA SOT23-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
发布日期： 2022-10-26
