DDR3 SDRAM

ISSI 提供具有高达 2133 Mbps 数据速率的 DDR3 SDRAM

ISSI DDR3 SDRAM 图片ISSI 提供了业内种类最齐全的 DRAM 产品系列,是针对各种不同应用的高质量解决方案。ISSI 的标准流程包括 100% 老化测试以及冷热温度测试。其对 DRAM 产品创新的长期支持使这些产品非常适合用于对使用寿命有极高要求的汽车、工业、医疗和通信等领域。ISSI DRAM 产品组合包括 EDO/FP、SDR、DDR、DDR2、移动 SDR、移动 DDR、RLDRAM® 2/3 存储器和最新的 DDR3。

特性
  • 双向差分数据选通
  • 写入命令按字节屏蔽数据
  • 可编程猝发长度为 4 或 8
  • 可编程 CAS 延时
  • 自动刷新和自刷新模式
  • OCD(驱动器调节)
  • ODT(片内端接)支持
  • 写入均衡
  • 封装:x16 为 96 焊球 BGA,x8 为 78 焊球 BGA
  • 长期支持
应用
  • 电信/网络
    • 接入节点
    • 聚合节点
    • 交换机和路由器
    • 数据包光传输
    • 网络存储 (PON OLT、DSLAM、CMTS、无线)
  • 汽车
    • 信息娱乐系统
    • 远程信息处理
    • 驾驶员信息系统
  • 工业
    • 人机接口
    • 嵌入式计算

DDR3 SDRAM

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IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16128BL-125KBLIC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA128M x 16并联1.283V ~ 1.45V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16256AL-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA256M x 16并联1.283V ~ 1.45V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512AL-125KBLIIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16并联1.283V ~ 1.45V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16并联1.283V ~ 1.45V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
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IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8并联1.425V ~ 1.575V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512A-125KBLIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16并联1.425V ~ 1.575V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
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IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280B-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8并联1.425V ~ 1.575V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8并联1.283V ~ 1.45V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
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IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120AL-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8并联1.283V ~ 1.45V0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期: 2017-05-16