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OptiMOS™ TOLT 功率 MOSFET 封装
Infineon 的功率 MOSFET 系列高性能封装现在包括 TO-Leaded 顶部冷却封装
Infineon 通过 TO-Leaded 顶部冷却 (TOLT) 封装扩大其 OptiMOS 功率 MOSFET 系列高性能封装产品阵容。TOLT 封装提供与 TOLL 封装相同的高电流低剖面厚度优势，并具有顶部冷却的额外优势，可实现最佳热性能。这种创新封装结合 OptiMOS 5 功率 MOSFET 技术的关键特性，可实现 80 V 和 100 V 的出色产品以及大于 300 A 的高额定电流，适用于高功率密度设计。
通过顶部冷却，漏极暴露在封装表面，允许 95% 的热量直接散发到散热器，与 TOLL 封装相比，RthJA 改善了 20%，RthJC 改善了 50%。在 TOLL 或 D²PAK 等底部冷却封装中，热量通过 PCB 散发到散热器，从而导致高功率损耗。
特性
- 低 RDS(ON)
- 高额定电流 >300 A
- 顶部冷却
- 负断态电压
- 无锡裸露焊盘
优点
- 系统效率提高，延长电池续航
- 高功率密度
- 卓越的热性能
- 节省冷却系统
- 最小化散热器的热阻
应用
- 电动滑板车
- 轻型电动车
- 电动工具
- 电池管理系统
OptiMOS™ TOLT Power MOSFET Packages
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IPTC012N08NM5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP | 40A（Ta），396A（Tc） | 1.2 毫欧 @ 100A，10V | 929 - 立即发货 | $73.50 | 查看详情 |
| | IPTC014N08NM5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP | 37A（Ta），330A（Tc） | 1.4 毫欧 @ 100A，10V | 1406 - 立即发货 | $60.16 | 查看详情 |
| | IPTC015N10NM5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP | 35A（Ta），354A（Tc） | 1.5 毫欧 @ 100A，10V | 0 - 立即发货 | $58.69 | 查看详情 |
| | IPTC019N10NM5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP | 31A（Ta），279A（Tc） | 1.9 毫欧 @ 100A，10V | 3663 - 立即发货 | $55.52 | 查看详情 |
发布日期： 2021-08-10
