200 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET

Infineon 的 OptiMOS 6 200 V MOSFET 满足了对高功率密度、效率和可靠性的需求，与以前的 MOSFET 相比，R_DS(on) 在室温下降低了 42%，在 +175°C 时降低了 53%。减小的 Q_rr 及提升的电容线性度可以提高开关性能。实际上，在不影响 EMI 的情况下可减少传导和开关损耗。该技术改进了安全工作区 (SOA)，提高了保护开关应用中的 MOSFET 电流处理能力。同时，设计优化和生产精度使得可靠、高性能的技术成为并联的理想选择。提供多种封装选项，包括 PQFN 3.3 x 3.3、SuperSO8、D² PAK 3 针，D² PAK 7 针、TO 无引线和 TO-220。与之前的技术相比，OptiMOS 6 具有显著的性能优势，例如低导通和低开关损耗、改善 EMI、减少并行化要求以及并行时更好的均流。

KIT_LGPWR_BOM015 电源板模块采用 OptiMOS 6 功率 MOSFET 200 V，采用 D²PAK 封装，是低压驱动 (LVD) 可扩展电源演示板平台的电源构件。它是一个具有电源和栅极驱动互连功能的单半桥，可轻松构建任何基于半桥的电源拓扑结构。

采用 Infineon 功率 MOSFET 系列 OptiMOS 的 电源板采用了 D²PAK,、D²PAK-7 和 TO 无引线封装，展示了功率 MOSFET 在并行化和热行为方面的性能。