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EPC 的 100 V eGaN 半桥器件 EPC2106 具有 55mΩ 的典型 RDS(ON)，输出电容小于 600 pF，零反向恢复 (QRR) 损耗，最大脉冲漏电流为 18 A，在 1.82 mm2 封装中实现了高功率转换效率。
发布日期：2023-08-31
发布日期：2020-12-10
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