EPC

EPC2106 半桥

EPC 的 100VeGaN® 半桥器件是 D 类音频和 LED 照明的理想选择

EPC 的 EPC2106 半桥图片EPC 的 100 V eGaN 半桥器件 EPC2106 具有 55mΩ 的典型 RDS(ON)，输出电容小于 600 pF，零反向恢复 (QRR) 损耗，最大脉冲漏电流为 18 A，在 1.82 mm2 封装中实现了高功率转换效率。

 
应用
  • DC/DC 电源转换
  • LiDAR
  • LED 照明
  • D 类音频
特性
  • 高频能力：
    • 单片集成消除了互连器件电感，可在更高频下实现更高能效
  • 高能效：
    • 降低了传导和开关损耗，实现了零反向恢复损耗
  • 小封装：
    • 低电感、外形极小的 1.35 mm x 1.35 mm BGA 表面贴装钝化内核

EPC2106 Half Bridge

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE56951 - 立即发货$21.65查看详情
EVAL BOARD FOR EPC2106EPC9055EVAL BOARD FOR EPC210630 - 立即发货$1,611.88查看详情
发布日期： 2019-01-14

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