VideoLibrary

Harness the Power of eGaN® FETs and ICs for Motor Drives

Watch the on-demand webinar to learn how to harness the power of enhancement-mode gallium nitride (eGaN) FETs and ICs for motor drives.

12/10/2020 2:13:08 PM

FETs-MOSFETs - Arrays

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE60857 - 立即发货$15.19查看详情
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE12465 - 立即发货$13.79查看详情
GANFET 3 N-CH 100V 9BGAEPC2107GANFET 3 N-CH 100V 9BGA5319 - 立即发货$11.66查看详情
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA973 - 立即发货$14.45查看详情
GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE479 - 立即发货$88.83查看详情

FETs-MOSFETs - Single

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
GANFET N-CH 40V 4A DIEEPC8004GANFET N-CH 40V 4A DIE6988 - 立即发货$26.19查看详情
GANFET N-CH 65V 4A DIEEPC8009GANFET N-CH 65V 4A DIE7536 - 立即发货$28.82查看详情
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEEPC2001CGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE92853 - 立即发货$40.88查看详情
GANFET N-CH 100V 18A DIEEPC2016CGANFET N-CH 100V 18A DIE99418 - 立即发货$21.26查看详情
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEEPC2007CGANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE14247 - 立即发货$18.55查看详情

Related Videos

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

发布日期：2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

发布日期：2023-08-31

How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons

发布日期：2020-06-12

Related Product Highlight

EPC9137KIT 双向 DC/DC 演示板 EPC 的 EPC9137KIT 2 相双向转换器以小解决方案尺寸提供 1.5 kW 功率，效率为 97%，适用于轻度混合动力汽车和备用电池。
EPC9149 演示板 EPC 的 EPC9149 演示板是一款 1 kW、48 V 输入至 12 V 输出 LLC 转换器，可作为具有 4:1 固定转换比的直流变压器。
EPC9145KIT 演示板 EPC 的 EPC9145KIT 演示板专为电动自行车、eMotion、无人机和机器人电机应用量身定制。

Related Articles and Blogs

宽带隙半导体推升了数据中心的效率 由于数据中心有巨大的能源需求，因此需要能够减少电力损失、提高效率和加强热控制的电源解决方案。
宽带隙半导体重塑交通运输行业 随着面向电动和混合动力汽车以及更清洁公共交通的解决方案推出，整个交通运输行业正在经历一场彻底的变革。
在堆叠各种传感器之前先了解无人机设计的权衡因素 在无人机上添加传感器需要谨慎平衡功耗、功能与成本，而本文将介绍一些合适的选择。

Related Product Training Modules

eGaN® FET Reliability Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.
Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.