EPC2100 晶体管和 EPC9036 开发板

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            EPC2100 晶体管和 EPC9036 开发板
  
                    EPC 的单片式 eGaN® 半桥

EPC 的 EPC2100 晶体管和 EPC9036 开发板图来自EPC 的增强模式单片半桥 GaN 晶体管进一步拉开了 eGaN^®技术与传统硅器件的能效距离。单片半桥器件节省了空间，提高了效率并降低了系统成本。

提高效率 - 单片半桥器件消除了互连电感，实现了更高的能效——尤其是在更高的频率下。

节省板空间 - 单片器件节省了 PCB 上 60% 的功率级空间。

简化了 GaN - 单片器件提高了生产效率，同时还降低了装配成本。

	图片	制造商零件编号	描述	FET 功能	漏源电压（Vdss）	可供货数量	价格
		EPC2100	MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE	-	30V	230 - 立即发货	$75.95	查看详情

	图片	制造商零件编号	描述	功能	嵌入式	使用的 IC/零件	可供货数量	价格	查看详情
		EPC9036	BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN	半 H 桥驱动器（外部 FET）	无	EPC2100	4 - 立即发货	$965.98	查看详情

更新日期： 2019-04-30

发布日期： 2014-09-23

EPC9037/EPC9041 开发板 EPC 的开发板采用单片半桥拓扑结构和板载栅极驱动器，具有 EPC2100/1/5 eGaNICs（增强模式氮化镓集成电路）。

eGaN Integrated GaN Power eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.

EPC 的单片式 eGaN® 半桥