EPC2033/EPC2034 150 V 和 200 V eGaN FET

EPC2033 和 EPC2034 采用 1 mm 焊球间距，扩大了 EPC 的“宽松间距”器件系列的阵容。 较大的间距允许在器件下方布置其它较大的通孔，从而在 2.6 mm x 4.6 mm 这样极小的基底面内也能实现高载流能力。这些器件的最高工作温度为 150°C，脉冲电流能力为 200 A (150 V EPC2034) 和 140 A (EPC2033)。

与具有相似导通电阻的先进硅功率 MOSFET 相比，这些产品不但体积更小，而且具有胜过前者许多倍的开关性能。 这些产品是许多应用的理想器件，如高频 DC/DC 转换器、DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流、电机驱动器和 LED 照明和工业自动化。

为简化这些高性能 eGaN FET 的评估过程，我们提供 EPC9047 开发板，以便对 EPC2033 进行“在线”性能评估。该开发板包括了所有关键电气元件，这些元件能方便地与任何现有转换器连接。

EPC9047 采用半桥拓扑结构，尺寸为 2" x 1.5"。 该开发板包含两个采用 Texas Instruments UCC27611 栅极驱动器的 EPC2033 eGaN FET，以及电源和旁路电容器。 该开发板包含实现最佳开关性能所需的全部关键元件和布局，并具有多个探头点，以简化简单波形测量、提升计算效率。