HyperRAM 存储器

Infineon 64 Mb HyperRAM™ 是高速、自刷新动态RAM (DRAM)，通过 HyperBus™ 接口连接需要扩展暂存器的系统，因此非常适合用于为没有足够 RAM 的 SoC 提供外部快速读写操作，是一种可扩展的解决方案。 HyperRAM 以 DDR 模式提供高达 333 MBps 的读/写带宽。

Infineon 的 HyperRAM 存储器系列初期以 3 V 电源和 64 Mb 大小提供，其它密度和电压选择也将陆续上市。 HyperRAM 存储器采用节省空间的 8 mm x 6 mm 焊球栅格阵列 (BGA) 封装。 与 HyperFlash 存储器配合使用时，两者均驻留在相同的 HyperBus 接口，相比通用 DRAM 显著减少了需要在印刷电路板 (PCB) 上路由的信号数量。 从而让系统级设计人员实现简单、高性价比的解决方案。

HyperRAM 与 HyperFlash™ NOR 闪存具有相同的基底面。 HyperRAM 的工业进阶版 (Industrial-Plus) 工作温度范围为 -40 °C 至 105 °C。 Infineon 采用严格的测试和认证过程，以确保所有零件符合世界一流的质量要求并具有 AEC-Q100 资质认可。