HyperFlash™ NOR 闪存存储器

Infineon HyperFlash 系列产品是高速 CMOS MirrorBit® NOR 闪存器件，具有 HyperBus、低信号数量、DDR（双倍数据速率）接口，可实现高速读取的吞吐量。 DDR 协议每个时钟周期传输两个数据字节的数据 (DQ) 信号。 HyperFlash 读或写访问包括内部 HyperFlash 核心的一系列 16 位宽单时钟周期的数据传输，以及两个相应的 8 位宽半时钟周期的 DQ 信号数据传输。

以 8 位数据总线 DDR 方式传输数据和指令/地址信息。 时钟输入信号用于 DQ 信号接收指令/地址/数据信息时，由 HyperFlash 器件采集信号。 读写数据选通 (RWDS) 是来自 HyperFlash 器件的输出，指示数据正从内存传输到主机。 在读取操作的数据传输期间，RWDS 以 CK 的上升沿与下降边缘为基准。 指令/地址/数据写入值与时钟边缘中心对准，读取数据值与 RWDS 转换边缘对准。

HyperFlash 器件的读取和写入操作以猝发方式执行。 读事务处理可以指定使用封装或线性猝发。 在封装操作期间，访问从选定的存储单元开始，然后按照组封装顺序对指定数量的存储单元进行连续存取。 线性操作期间，访问从选定的存储单元开始，然后按顺序依次访问各存储单元，直到读取操作结束， CS# 返回高。 写事务处理传输一个或多个 16 位值。

HyperFlash 系列包括多种密度的 1.8 V 或 3.0 V 内核和 I/O、非易失性同步闪存存储器。 这些器件达到最高的标准，符合汽车 AEC-Q100 规范，温度范围为 -40 °C 至 125 °C。