网络研讨会 - 哪种宽带隙技术最适合高能效应用？

宽带隙 (WBG) 半导体是当今热门技术中至关重要的器件，具体应用包括电动汽车、绿色能源等。您可能已经听说过氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 晶体管，但它们与传统的硅基功率晶体管相比有什么优势呢？GaN 和 SiC 有什么区别？这些就是 STMicroelectronics 的 John Keller 和 Steven Stein 在这次网络研讨会上要为您解答的问题。

此次网络研讨会将于 2023 年 6 月 7 日美国中部夏令时上午 11 点举行，到时如果您不方便参加也不用担心。请先行注册，我们会在网络研讨会结束后向您发送网络研讨会的录播视频。

注册网址：https://event.on24.com/wcc/r/4222127/7BF6B23EE5A4414174E2C0F1846A2F4F?partnerref=blog