从具有出色开关速度和低导通电阻的 MOSFET,到保护敏感电路的超紧凑隔离器,再到为高性能电机供电的智能栅极驱动器,Toshiba 独特的功率半导体产品组合对于现代电源设计至关重要。
Toshiba TDS4A212MX/TDS4B212MX MUX/DEMUX 开关支持高速差分信号,例如 PCIe® 5.0 和 USB4®。
Toshiba 完全集成的 40 V 至 50 V、1.5 A 至 3 A 和 1/32 微步进步进电机驱动器具有步进驱动增强功能。
Toshiba's TMPM3HxF10xx series of ARM Cortex-M3 microcontrollers, part of the TXZ+™ family, operate at 120 MHz and are built on a 40 nm process node.
Toshiba 的 TMPM3HxF10x Arm® Cortex®-M3 微控制器 PMD 电路可以与高精度 ADC 同步运行,从而控制交流电机和无刷电机。
The Toshiba DF2B6M4BSL ultra-low capacitance TVS Diode is designed to protect high-frequency antennas of IoT devices from ESD.
采用 L-TOGL 封装的东芝 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET 可实现超低导通电阻、高漏极电流额定值和高散热性。
Toshiba 的 650 V 和 1,200 V 第三代碳化硅技术专为高效电源应用而设计。采用行业标准三引线 TO-247 封装的这些碳化硅 MOSFET 专为 400 V 和 800 V 交流输入电源、光伏逆变器和用于不间断电源的双向 DC/DC 转换器等大功率工业应用而设计。这些 MOSFET 具有更高的耐压、更快的开关和更低的导通电阻,有助于降低功耗并提高功率密度。其中,650 V 器件具有 4,850 pF 输入电容、128 nC 低栅极输入电荷,以及仅 15 mΩ 的漏源极导通电阻。
Toshiba's 650 and 1,200 volt 3rd Generation Silicon Carbide technology is designed for high-efficiency power supply applications.