Toshiba Power Solutions 发布日期:2024-09-25

从具有出色开关速度和低导通电阻的 MOSFET,到保护敏感电路的超紧凑隔离器,再到为高性能电机供电的智能栅极驱动器,Toshiba 独特的功率半导体产品组合对于现代电源设计至关重要。

Image of Toshiba TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes TRSxxx65H 肖特基势垒二极管 发布日期:2024-08-23

Toshiba TRSxxx65H 系列碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 专为工业设备而设计。

Image of Toshiba TDS4A212MX/TDS4B212MX Bus Switches
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TDS4A212MX/TDS4B212MX 总线开关 发布日期:2024-08-23

Toshiba TDS4A212MX/TDS4B212MX MUX/DEMUX 开关支持高速差分信号,例如 PCIe® 5.0 和 USB4®。

Image of Toshiba's TCKE9 Series eFuse ICs
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TCKE9 系列电子保险丝 IC 发布日期:2024-07-11

Toshiba 的 TCKE9 系列 eFuse IC 具有限流和电压钳位功能,可保护电路免受外部过流和过压情况的影响。

Image of Toshiba's TLX9910(TPL,F Automotive Photovoltaic Isolator TLX9910(TPL,F) 汽车光伏隔离器 发布日期:2024-02-05

Toshiba 的 TLX9910(TPL,F) 隔离式栅极驱动器专为关键汽车应用而设计。

Image of Toshiba's DCL54x (4-channel) High Speed Digital Isolators DCL54x 4 通道高速数字隔离器 发布日期:2024-01-19

Toshiba 的 DCL54x 数字隔离器支持高速性能、高电压和共模瞬态抗扰度。

Image of Toshiba's 40V/50V Stepper Motor Drivers 40 V 和 50 V 步进电机驱动器 发布日期:2024-01-19

Toshiba 完全集成的 40 V 至 50 V、1.5 A 至 3 A 和 1/32 微步进步进电机驱动器具有步进驱动增强功能。

Toshiba's TMPM3HxF10xx series of ARM Cortex-M3 microcontrollers, part of the TXZ+™ family, operate at 120 MHz and are built on a 40 nm process node.

Image of A Novel Approach to Implementing Precise, Low-Power, and Compact Temperature Monitoring 实施精确、低功耗、紧凑型温度监测的新方法 发布日期:2023-10-18

如何使用带有正温度系数热敏电阻的专用 IC,实现精确、低功耗、节省空间的温度监测。

Image of Toshiba's TMPM3HxF10x ARM® Cortex®-M3 Microcontrollers TMPM3HxF10x Arm® Cortex®-M3 微控制器 发布日期:2023-08-04

Toshiba 的 TMPM3HxF10x Arm® Cortex®-M3 微控制器 PMD 电路可以与高精度 ADC 同步运行,从而控制交流电机和无刷电机。

Image of Toshiba's 50V Brushed and Stepper Motor Drivers 50 V 有刷电机和步进电机驱动器 发布日期:2023-06-28

Toshiba 的 50 V 有刷和步进直流电机驱动器适用于广泛的工业应用。

Image of Toshiba's Thermoflagger Over Temperature Detection IC Thermoflagger™ 过温检测 IC 发布日期:2023-06-09

与 PTC 结合使用时,Toshiba 的 Thermoflagger™ 可提供节能且简单的解决方案。

Image of Toshiba's Power Mux Solution 5 V - 24 V 电源多路复用器解决方案 更新日期: 2023-05-10

Toshiba 的电源多路复用器解决方案是一款高压侧栅极驱动器和共漏极 MOSFET。

The Toshiba DF2B6M4BSL ultra-low capacitance TVS Diode is designed to protect high-frequency antennas of IoT devices from ESD.

Image of Toshiba's AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package 采用 L-TOGL™ 封装的 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET 发布日期:2023-02-27

采用 L-TOGL 封装的东芝 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET 可实现超低导通电阻、高漏极电流额定值和高散热性。

Image of Toshiba's TSOP6F Industrial and Automotive MOSFETs 采用 TSOP6F 封装的工业和汽车 MOSFET 发布日期:2023-02-21

Toshiba 的 TSOP6F 工业和汽车 MOSFET 在小型封装中提供功率密度和性能。

Toshiba 的 650 V 和 1,200 V 第三代碳化硅技术专为高效电源应用而设计。采用行业标准三引线 TO-247 封装的这些碳化硅 MOSFET 专为 400 V 和 800 V 交流输入电源、光伏逆变器和用于不间断电源的双向 DC/DC 转换器等大功率工业应用而设计。这些 MOSFET 具有更高的耐压、更快的开关和更低的导通电阻,有助于降低功耗并提高功率密度。其中,650 V 器件具有 4,850 pF 输入电容、128 nC 低栅极输入电荷,以及仅 15 mΩ 的漏源极导通电阻。

Image of Toshiba's DF2B6M4BSL TVS Diode DF2B6M4BSL TVS 二极管 发布日期:2022-12-16

Toshiba 的 DF2B6M4BSL 是用于高频天线的超低电容 TVS 二极管。

Toshiba's 650 and 1,200 volt 3rd Generation Silicon Carbide technology is designed for high-efficiency power supply applications.