前瞻性思维推动能源基础设施发展 - onsemi | Datasheet Preview

Onsemi 1200 V M3S 平面 SiC MOSFET 系列针对快速开关应用进行了优化。平面技术可在负栅极电压驱动和栅极上关断尖峰下可靠地运行。该系列在使用 18 V 栅极驱动时具有最佳的性能，但在 15 V 栅极驱动时也能很好地运行。这些器件提供 TO-247 3 引脚 和 4 引脚通孔封装，以及 D2PAK 7 引脚表面贴装。新的 M3S 技术确保了仅 22 mΩ 的低导通电阻，具有更高开关效率和更高功率密度。这些 MOSFET 已 100% 通过雪崩测试，提高了对意外电压尖峰或振铃的稳健性。