OptiMOS™ TOLT 功率 MOSFET 封装 | Datasheet Preview

Infineon 通过 TO-Leaded 顶部冷却（TOLT）封装，扩大了其 OptiMOS 功率 MOSFET 系列高性能封装的产品阵容。 结合 OptiMOS 5 Power Block MOSFET系列特性，实现基准效率和大电流处理能力。TOLT 封装不仅提供与 TOLL 封装相同的大电流薄型封装优势，还具有顶部冷却的优势，可实现最佳热性能。这些 MOSFET 提供 80 V 和 100 V 型号，具有超过 300 A 的高额定电流，适合于高功率密度设计。 通过顶部冷却，漏极暴露在封装表面，95% 的热量可直接散发到散热器，与 TOLL 封装相比，结到壳的热阻改善了 20%，结到环境的热阻改善了 50%。