设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
Paralleling eGaN® FETs
EPC
This presentation will detail the work EPC has done to make it as easy as possible to use eGaN FETs in power conversion applications where more than one device working in parallel is needed to meet the output power requirements. These challenges will be presented and recommendations made to ensure the best performance from a paralleled switch converter. The discussion will focus on a single gate driver per switch and the half bridge topology.
Related Parts
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 可供货数量 | 价格 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2015 | GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE | 40 V | 33A（Ta） | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
|  | EPC2001 | GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE | 100 V | 25A（Ta） | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
|  | EPC2010 | GANFET N-CH 200V 12A DIE | 200 V | 12A（Ta） | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
|  | EPC2014 | GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE | 40 V | 10A（Ta） | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
|  | EPC2012 | GANFET N-CH 200V 3A DIE | 200 V | 3A（Ta） | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
| | EPC2007 | GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE | 100 V | 6A（Ta） | 0 - 立即发货 | $6.93 | 查看详情 |
PTM Published on: 2012-04-26
