FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
技术
-碳化硅（SiC）
配置
2 个 N 沟道4 N 沟道（全桥）6 N 沟道（全桥）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tj）25A400A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.27 毫欧 @ 400A，18V32.3 毫欧 @ 25A，18V79 毫欧 @ 15A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.15V @ 10mA5.15V @ 224mA5.15V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45nC @ 18V74nC @ 18V1600nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1350pF @ 800V2200pF @ 800V48400pF @ 800V
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
AG-EASY1BAG-EASY3B
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
9
现货
1 : ¥4,814.89000
托盘
托盘
在售
碳化硅（SiC）
4 N 沟道（全桥）
-
1200V（1.2kV）
400A（Tj）
2.27 毫欧 @ 400A，18V
5.15V @ 224mA
1600nC @ 18V
48400pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
AG-EASY3B
FS55MR12W1M1HB11NPSA1-VIEW-A
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B
Infineon Technologies
20
现货
1 : ¥643.73000
托盘
托盘
在售
碳化硅（SiC）
6 N 沟道（全桥）
-
1200V（1.2kV）
15A（Tj）
79 毫欧 @ 15A，18V
5.15V @ 6mA
45nC @ 18V
1350pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
AG-EASY1B
24
现货
1 : ¥699.15000
托盘
托盘
在售
-
2 个 N 沟道
-
1200V（1.2kV）
25A
32.3 毫欧 @ 25A，18V
5.15V @ 10mA
74nC @ 18V
2200pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
-
-
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。