单 FET，MOSFET

结果 : 4
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）64A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 60A，10V2 毫欧 @ 50A，10V8.5 毫欧 @ 32A，10V33 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.7 nC @ 4.5 V9.8 nC @ 10 V35 nC @ 10 V66.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
321 pF @ 25 V637 pF @ 25 V2750 pF @ 25 V5400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
50W（Tc）65W（Tc）136W（Tc）158W（Tc）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PowerFlat™（5x6）PowerFlat™（5x6）双面
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNSC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
0
现货
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3,000 : ¥3.57890
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
64A（Tc）
10V
8.5 毫欧 @ 32A，10V
4V @ 250µA
9.8 nC @ 10 V
±20V
637 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装，可润湿侧翼
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
0
现货
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3,000 : ¥4.13123
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
3.7 nC @ 4.5 V
±20V
321 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
0
现货
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3,000 : ¥7.27862
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
10V
2 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
0
现货
查看交期
2,500 : ¥14.44036
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
120A（Tc）
6.5V，10V
1.1 毫欧 @ 60A，10V
4V @ 250µA
66.5 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
158W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）双面
8-PowerWDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。