硅电容器

结果 : 5
电容
1000 pF10000 pF0.047 µF0.1 µF1 µF
容差
±15%-
封装/外壳
0202（0505 公制）0505（1313 公制）0605（1513 公制）
高度
0.005"（0.12mm）0.012"（0.30mm）
大小 / 尺寸
0.025" 长 x 0.025" 宽（0.63mm x 0.63mm）0.052" 长 x 0.052" 宽（1.32mm x 1.32mm）0.063" 长 x 0.052" 宽（1.59mm x 1.32mm）
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媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电容
容差
电压 - 击穿
ESL（等效串联电感）
应用
特性
工作温度
封装/外壳
高度
大小 / 尺寸
CAP SILICON 1000PF 15% 30V 0202
935174730410-T3A
CAP SILICON 1000PF 15% 30V 0202
Murata Electronics
0
现货
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1,000 : ¥31.48206
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
1000 pF
±15%
30 V
-
高稳定性，高温，引线键合和嵌入式
-
-55°C ~ 200°C
0202（0505 公制）
0.012"（0.30mm）
0.025" 长 x 0.025" 宽（0.63mm x 0.63mm）
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0202
935174730510-T3A
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0202
Murata Electronics
0
现货
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1,000 : ¥36.65719
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
10000 pF
±15%
30 V
-
高稳定性，高温，引线键合和嵌入式
-
-55°C ~ 200°C
0202（0505 公制）
0.012"（0.30mm）
0.025" 长 x 0.025" 宽（0.63mm x 0.63mm）
CAP SILICON 0.047UF 15% 30V 0505
935174732547-T3A
CAP SILICON 0.047UF 15% 30V 0505
Murata Electronics
0
现货
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1,000 : ¥37.84318
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
0.047 µF
±15%
30 V
-
高稳定性，高温，引线键合和嵌入式
-
-55°C ~ 200°C
0505（1313 公制）
0.012"（0.30mm）
0.052" 长 x 0.052" 宽（1.32mm x 1.32mm）
CAP SILICON 0.1UF 15% 30V 0605
935174733610-T3A
CAP SILICON 0.1UF 15% 30V 0605
Murata Electronics
0
现货
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1,000 : ¥73.35666
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
0.1 µF
±15%
30 V
-
高稳定性，高温，引线键合和嵌入式
-
-55°C ~ 200°C
0605（1513 公制）
0.012"（0.30mm）
0.063" 长 x 0.052" 宽（1.59mm x 1.32mm）
0
现货
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1,000 : ¥106.21878
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
1 µF
-
30 V
-
高稳定性，高温，引线键合和嵌入式
-
-55°C ~ 200°C
0202（0505 公制）
0.005"（0.12mm）
0.025" 长 x 0.025" 宽（0.63mm x 0.63mm）
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硅电容器

硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器，但参数值范围相对有限，并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比，成本要高得多。