FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)4 N 沟道(全桥)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V100V100V,80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A3.4A,2.6A8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17.5 毫欧 @ 8A,10V110 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5nC @ 10V33nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
210pF @ 50V,850pF @ 40V215pF @ 15V2295pF @ 30V
功率 - 最大值
1.9W2.5W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
12-MLP (5x4.5)
FDMQ8203
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
onsemi
3,000
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.75012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 和 2 P 沟道(全桥)
逻辑电平门
100V,80V
3.4A,2.6A
110 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
5nC @ 10V
210pF @ 50V,850pF @ 40V
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
12-WDFN 裸露焊盘
12-MLP(5x4.5)
FDMQ
FDMQ86530L
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
onsemi
5,115
现货
1 : ¥25.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.31815
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
逻辑电平门
60V
8A
17.5 毫欧 @ 8A,10V
3V @ 250µA
33nC @ 10V
2295pF @ 30V
1.9W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
12-WDFN 裸露焊盘
12-MLP(5x4.5)
FDMQ
FDMQ8403
MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
onsemi
15,232
现货
36,000
工厂
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.62257
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道(全桥)
-
100V
3.1A
110 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
5nC @ 10V
215pF @ 15V
1.9W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
12-WDFN 裸露焊盘
12-MLP(5x4.5)
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。