FET、MOSFET 阵列

结果 : 52
配置
2 N 沟道(双)配对4 N 沟道,配对4 P 沟道,配对
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
8V10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80mA-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 欧姆25 欧姆500 欧姆 @ 4V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA380mV @ 1µA780mV @ 1µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V15pF @ 5V30pF @ 5V-
功率 - 最大值
500mW-
工作温度
0°C ~ 70°C0°C ~ 70°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-DIP(0.300",7.62mm)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)16-DIP(0.300",7.62mm)16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-PDIP8-SOIC16-PDIP16-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
52结果
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/ 52
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
309
现货
1 : ¥40.88000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
20mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
56
现货
1 : ¥37.35000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 P 沟道,配对
-
8V
-
-
780mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
16-SOIC
ALD210800SCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
48
现货
1 : ¥40.39000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
25 欧姆
20mV @ 10µA
-
15pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
40
现货
1 : ¥52.13000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
20mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
16-DIP(0.300",7.62mm)
16-PDIP
8-DIP
ALD212900PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Advanced Linear Devices Inc.
36
现货
1 : ¥54.10000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
14 欧姆
20mV @ 20µA
-
30pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
43
现货
1 : ¥70.44000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
10mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
16-PDIP
ALD210800APCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Advanced Linear Devices Inc.
35
现货
1 : ¥79.14000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
25 欧姆
10mV @ 10µA
-
15pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
16-DIP(0.300",7.62mm)
16-PDIP
59
现货
1 : ¥80.13000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 P 沟道,配对
-
8V
-
-
20mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C
通孔
16-DIP(0.300",7.62mm)
16-PDIP
47
现货
1 : ¥35.06000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
20mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥53.25040
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
10mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
16
现货
1 : ¥78.16000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
10mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
16-DIP(0.300",7.62mm)
16-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥40.01620
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
10mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-DIP
ALD212900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥51.83340
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
14 欧姆
10mV @ 20µA
-
30pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
16-SOIC
ALD210800ASCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
20
现货
1 : ¥71.43000
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
25 欧姆
10mV @ 10µA
-
15pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
0
现货
查看交期
50 : ¥34.47780
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
20mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
16-SOIC
ALD210808SCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
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50 : ¥40.17380
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
8-SOIC PKG
ALD212900SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.00960
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
14 欧姆
20mV @ 20µA
-
30pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC PKG
ALD212902SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.00960
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC PKG
ALD212904SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.00960
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC PKG
ALD212908SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.00960
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-PDIP
ALD212902PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.16720
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
8-PDIP
ALD212904PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.16720
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
8-PDIP
ALD212908PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.16720
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-PDIP
16-SOIC
ALD210802SCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.48240
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
16-SOIC
ALD210804SCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥43.48240
管件
管件
在售
MOSFET(金属氧化物)
4 N 沟道,配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
-
20mV @ 10µA
-
-
500mW
0°C ~ 70°C(TJ)
表面贴装型
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
显示
/ 52

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。