单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A（Tc）24A（Tc）37A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
104 毫欧 @ 18.5A，10V150 毫欧 @ 12A，10V620 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.4mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V93 nC @ 10 V139 nC @ 10 V145 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1135 pF @ 25 V3737 pF @ 100 V5950 pF @ 100 V6130 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
89W（Tc）298W（Tc）357W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220-3TO-247-3TO-252AA
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FCD620N60ZF
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
onsemi
9,435
现货
2,500
工厂
1 : ¥15.35000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.44548
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7.3A（Tc）
10V
620 毫欧 @ 3.6A，10V
5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1135 pF @ 25 V
-
89W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220-3
FCP104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
onsemi
794
现货
800
工厂
1 : ¥49.42000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
37A（Tc）
10V
104 毫欧 @ 18.5A，10V
5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
6130 pF @ 25 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 AD EP
FCH104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
onsemi
405
现货
1 : ¥38.50000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
37A（Tc）
10V
104 毫欧 @ 18.5A，10V
5V @ 250µA
139 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 100 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
FCP150N65F
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
onsemi
0
现货
50 : ¥33.87240
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
24A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 12A，10V
5V @ 2.4mA
93 nC @ 10 V
±20V
3737 pF @ 100 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。