单 FET,MOSFET

结果 : 24
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
25 V40 V60 V80 V100 V120 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Ta),44A(Tc)27A(Ta),202A(Tc)27A(Ta),248A(Tc)31A(Ta),193A(Tc)31A(Ta),260A(Tc)32A(Ta), 290A(Tc)32A(Ta),247A(Tc)36A(Ta),242A(Tc)38A(Ta), 399A(Tc)41A(Ta),298A(Tc)41A(Ta),311A(Tc)44A(Ta),211A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7V,10V8V,10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.65 毫欧 @ 20A,10V0.75 毫欧 @ 150A,10V0.82 毫欧 @ 50A,10V1.1 毫欧 @ 100A,10V1.1 毫欧 @ 60A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 50A,10V1.7 毫欧 @ 50A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V1.9毫欧 @ 150A,10V2毫欧 @ 150A,10V2.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.2V @ 130µA3.3V @ 143µA3.3V @ 148µA3.3V @ 280µA3.3V @ 36µA3.3V @ 50µA3.3V @ 95µA3.4V @ 60µA3.8V @ 148µA3.8V @ 158µA3.8V @ 159µA3.8V @ 202µA3.8V @ 49µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18 nC @ 10 V36 nC @ 10 V40 nC @ 10 V50 nC @ 10 V56 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V74 nC @ 10 V82.1 nC @ 10 V89 nC @ 10 V100 nC @ 10 V120 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 75 V2600 pF @ 30 V2700 pF @ 50 V3500 pF @ 30 V3800 pF @ 40 V4700 pF @ 50 V4800 pF @ 20 V5200 pF @ 30 V5300 pF @ 30 V5453 pF @ 12 V6300 pF @ 50 V6600 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),89W(Tc)2.5W(Ta),100W(Tc)2.8W(Ta),63W(Tc)3W(Ta),115W(Tc)3.8W(Ta), 313W(Tc)3.8W(Ta),167W(Tc)3.8W(Ta),214W(Tc)3.8W(Ta),375W(Tc)33W(Tc)36W(Tc)38W(Tc)188W(Tc)214W(Tc)231W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
MG-WDSON-8-904PG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-16-U01PG-HSOF-5-1PG-HSOF-5-4PG-HSOF-8-1PG-HSOG-8-1PG-TDSON-8 FLPG-TDSON-8-53PG-TO220 整包PG-TO220-3-1PG-TSON-8-4PG-TSON-8-5
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN16-PowerSOP 模块DirectFET™ Isometric METO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
24结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 24
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TOLLLEADLESS
IPT026N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Infineon Technologies
6,014
现货
1 : ¥24.55000
剪切带(CT)
2,000 : ¥16.32315
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
27A(Ta),202A(Tc)
6V,10V
2.6毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 158µA
120 nC @ 10 V
±20V
8800 pF @ 50 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Infineon Technologies
8,107
现货
1 : ¥53.61000
剪切带(CT)
2,000 : ¥25.04401
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
31A(Ta),260A(Tc)
6V,10V
2毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 202µA
152 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
273W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
4,921
现货
1 : ¥54.35000
剪切带(CT)
2,000 : ¥26.47506
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
PG-TDSON-8 FL
ISC017N04NM5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Infineon Technologies
6,100
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.51484
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
31A(Ta),193A(Tc)
7V,10V
1.7 毫欧 @ 50A,10V
3.4V @ 60µA
67 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 20 V
-
3W(Ta),115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PQFN_3.3-x-3.3SD
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Infineon Technologies
3,754
现货
1 : ¥18.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.02285
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
41A(Ta),298A(Tc)
4.5V,10V
0.65 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
82.1 nC @ 10 V
±16V
5453 pF @ 12 V
-
2.1W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-4
8-PowerTDFN
6,543
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
4,800 : ¥10.24852
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
44A(Ta),211A(Tc)
4.5V,10V
0.82 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 20 V
-
2.8W(Ta),63W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MG-WDSON-8-904
DirectFET™ Isometric ME
2,144
现货
1 : ¥24.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.54359
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310A(Tj)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 60A,10V
2.2V @ 130µA
160 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 30 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
IST011N06NM5AUMA1
IST011N06NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Infineon Technologies
707
现货
1 : ¥46.80000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.79756
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
38A(Ta), 399A(Tc)
6V,10V
1.1 毫欧 @ 100A,10V
3.3V @ 148µA
154 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta), 313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
2,552
现货
1 : ¥50.57000
剪切带(CT)
1,800 : ¥26.12779
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
52A(Ta),454A(Tc)
6V,10V
0.75 毫欧 @ 150A,10V
3.3V @ 280µA
261 nC @ 10 V
±20V
21000 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
1,496
现货
1 : ¥55.83000
剪切带(CT)
1,800 : ¥29.01345
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD,鸥翼
494
现货
1 : ¥15.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
72A(Tc)
6V,10V
4毫欧 @ 72A,10V
3.3V @ 50µA
50 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
1,663
现货
1 : ¥33.25000
剪切带(CT)
2,000 : ¥15.53603
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
27A(Ta),248A(Tc)
6V,10V
2.6 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 148µA
125 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
3.8W(Ta), 313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST019N08NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Infineon Technologies
977
现货
1 : ¥35.30000
剪切带(CT)
2,000 : ¥17.19043
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Ta), 290A(Tc)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 148µA
132 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta), 313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT019N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Infineon Technologies
3,880
现货
1 : ¥35.79000
剪切带(CT)
2,000 : ¥17.43644
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Ta),247A(Tc)
6V,10V
1.9毫欧 @ 150A,10V
3.8V @ 159µA
127 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 40 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
IST011N06NM5AUMA1
IST015N06NM5AUMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
Infineon Technologies
1,689
现货
1 : ¥47.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.32041
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
36A(Ta),242A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 95µA
89 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-1
5-PowerSFN
PG-TO220 Full Pack
IPA083N10NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
Infineon Technologies
353
现货
1 : ¥11.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
50A(Tc)
6V,10V
8.3 毫欧 @ 25A,10V
3.8V @ 49µA
40 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
490
现货
1 : ¥18.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
64A(Tc)
6V,10V
5.2毫欧 @ 32A,10V
3.8V @ 65µA
56 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
269
现货
1 : ¥20.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
87A(Tc)
6V,10V
2.9毫欧 @ 87A,10V
3.3V @ 36µA
74 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 30 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
PG-TO220 Full Pack
IPA050N10NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Infineon Technologies
672
现货
1 : ¥21.18000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
66A(Tc)
6V,10V
5毫欧 @ 33A,10V
3.8V @ 84µA
68 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 50 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
1,780
现货
1 : ¥42.61000
剪切带(CT)
1,800 : ¥22.04501
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
41A(Ta),311A(Tc)
6V,10V
1.2 毫欧 @ 100A,10V
3.3V @ 143µA
133 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 30 V
-
3.8W(Ta),214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-U01
16-PowerSOP 模块
254
现货
1 : ¥46.80000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
120A(Tc)
8V,10V
5.1 毫欧 @ 60A,10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 75 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
1,064
现货
1 : ¥61.98000
剪切带(CT)
1,800 : ¥35.13929
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
0
现货
查看交期
1 : ¥19.21000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.33701
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
7A(Ta),44A(Tc)
8V,10V
22 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 46µA
18 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-5
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
500 : ¥7.67534
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
56A(Tc)
6V,10V
6毫欧 @ 56A,10V
3.3V @ 36µA
36 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 30 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
显示
/ 24

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。