单 IGBT

结果 : 10
系列
TrenchStop™TRENCHSTOP™
产品状态
不适用于新设计在售
IGBT 类型
沟槽型场截止沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A40 A50 A79 A80 A82 A232 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A90 A120 A150 A160 A225 A560 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.65V @ 15V，20A1.65V @ 15V，30A1.65V @ 15V，50A1.65V @ 15V，75A1.7V @ 15V，40A1.8V @ 15V，50A2V @ 15V，40A2V @ 15V，50A2.15V @ 15V，140A2.15V @ 15V，40A
功率 - 最大值
136 W188 W230 W273 W319.2 W330 W333 W357 W428 W962 W
开关能量
360µJ（开），360µJ（关）590µJ（开），500µJ（关）860µJ（开），400µJ（关）1.2mJ（开），850µJ（关）1.53mJ（开），850µJ（关）1.69mJ（开），920µJ（关）2.17mJ（开），1.23mJ（关）2.55mJ（开），1.75mJ（关）2.64mJ（开），3.9mJ（关）2.8mJ（开），2.2mJ（关）
栅极电荷
95 nC128 nC180 nC230 nC249 nC290 nC435 nC1032 nC
25°C 时 Td（开/关）值
16ns/210ns19ns/130ns20ns/215ns20ns/245ns26ns/350ns27ns/190ns28ns/310ns29ns/170ns36ns/336ns50ns/407ns
测试条件
400V，20A，12 欧姆，15V400V，30A，10 欧姆，15V400V，40A，10 欧姆，15V400V，50A，7 欧姆，15V400V，50A，9 欧姆，15V400V，75A，4.7 欧姆，15V600V，40A，4 欧姆，15V600V，50A，2.3 欧姆，15V-
反向恢复时间 (trr)
70 ns73 ns80 ns93 ns100 ns101 ns115 ns120 ns165 ns175 ns
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-3-U06PG-TO247-4-U10
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IKY100N120CH7XKSA1
IKY140N120CH7XKSA1
IGBT TRENCH FS 1200V 232A TO247
Infineon Technologies
353
现货
1 : ¥129.88000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
232 A
560 A
2.15V @ 15V，140A
962 W
2.64mJ（开），3.9mJ（关）
标准
1032 nC
50ns/407ns
-
101 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
PG-TO247-4-U10
AUIRFP4310Z BACK
IKW40N65ES5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Infineon Technologies
516
现货
1 : ¥38.67000
管件
管件
在售
沟道
650 V
79 A
160 A
1.7V @ 15V，40A
230 W
860µJ（开），400µJ（关）
标准
95 nC
19ns/130ns
400V，40A，10 欧姆，15V
73 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
IKW40N120CH7XKSA1
IKW40N120CH7XKSA1
IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Infineon Technologies
130
现货
1 : ¥59.93000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
82 A
160 A
2.15V @ 15V，40A
330 W
1.69mJ（开），920µJ（关）
标准
290 nC
36ns/336ns
-
120 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-U06
IKW50N120CS7XKSA1_ViewA
IKW50N120CS7XKSA1
IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Infineon Technologies
384
现货
1 : ¥72.57000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
82 A
150 A
2V @ 15V，50A
428 W
2.8mJ（开），2.2mJ（关）
标准
290 nC
29ns/170ns
600V，50A，2.3 欧姆，15V
165 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
PG-TO247-3
IKW20N65ET7XKSA1
IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Infineon Technologies
1,432
现货
1 : ¥28.73000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
40 A
60 A
1.65V @ 15V，20A
136 W
360µJ（开），360µJ（关）
标准
128 nC
16ns/210ns
400V，20A，12 欧姆，15V
70 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
PG-TO247-3
IKW30N65ET7XKSA1
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Infineon Technologies
159
现货
1 : ¥32.92000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
30 A
90 A
1.65V @ 15V，30A
188 W
590µJ（开），500µJ（关）
标准
180 nC
20ns/245ns
400V，30A，10 欧姆，15V
80 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
PG-TO247-3
IKW40N120CS7XKSA1
IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Infineon Technologies
185
现货
1 : ¥63.05000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
82 A
120 A
2V @ 15V，40A
357 W
2.55mJ（开），1.75mJ（关）
标准
230 nC
27ns/190ns
600V，40A，4 欧姆，15V
175 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
PG-TO247-3
IKW75N65ET7XKSA1
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Infineon Technologies
454
现货
1 : ¥41.79000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
225 A
1.65V @ 15V，75A
333 W
2.17mJ（开），1.23mJ（关）
标准
435 nC
28ns/310ns
400V，75A，4.7 欧姆，15V
100 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
AUIRFP4310Z BACK
IKW50N60DTPXKSA1
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Infineon Technologies
86
现货
1 : ¥30.13000
管件
管件
不适用于新设计
沟槽型场截止
600 V
80 A
150 A
1.8V @ 15V，50A
319.2 W
1.53mJ（开），850µJ（关）
标准
249 nC
20ns/215ns
400V，50A，7 欧姆，15V
115 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
PG-TO247-3
IKW50N65ET7XKSA1
IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Infineon Technologies
14
现货
1 : ¥44.91000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
50 A
150 A
1.65V @ 15V，50A
273 W
1.2mJ（开），850µJ（关）
标准
290 nC
26ns/350ns
400V，50A，9 欧姆，15V
93 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
显示
/ 10

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。