FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Advanced Linear Devices Inc.Linear Integrated Systems, Inc.
系列
-EPAD®, Zero Threshold™SD5400
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
配置
4 N 沟道，配对4 P 沟道，配对4 个 N 通道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
8V10.6V20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA（Ta）80mA-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 欧姆75 欧姆 @ 1mA，5V500 欧姆 @ 5V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
10mV @ 10µA780mV @ 1µA1V @ 1µA1.5V @ 1µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2.5pF @ 5V3pF @ 5V15pF @ 5V-
功率 - 最大值
500mW500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）0°C ~ 70°C0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）16-DIP（0.300"，7.62mm）16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
14-SOIC16-PDIP16-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
3,057
现货
1 : ¥49.26000
管件
-
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 5V
1V @ 1µA
-
3pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
14-SOIC
5,189
现货
1 : ¥51.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥29.00426
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 个 N 通道
-
20V
50mA（Ta）
75 欧姆 @ 1mA，5V
1.5V @ 1µA
-
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
14-SOIC
56
现货
1 : ¥37.35000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 P 沟道，配对
-
8V
-
-
780mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
16-PDIP
ALD210800APCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Advanced Linear Devices Inc.
35
现货
1 : ¥79.14000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
25 欧姆
10mV @ 10µA
-
15pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
16-DIP（0.300"，7.62mm）
16-PDIP
16-SOIC
ALD210800ASCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Advanced Linear Devices Inc.
20
现货
1 : ¥71.43000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
逻辑电平门
10.6V
80mA
25 欧姆
10mV @ 10µA
-
15pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。