单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
HiPerFET™, TrenchStrongIRFET™
漏源电压（Vdss）
150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
182A（Tc）203A（Tc）220A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 100A，10V6.6 毫欧 @ 82A，10V7.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 270µA4.6V @ 265µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
200 nC @ 10 V203 nC @ 10 V378 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9820 pF @ 50 V12000 pF @ 75 V28000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），556W（Tc）556W（Tc）1090W（Tc）
安装类型
底座安装通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3SOT-227BTO-247AC
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Infineon Technologies
875
现货
1 : ¥77.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
182A（Tc）
10V
6.6 毫欧 @ 82A，10V
4V @ 270µA
203 nC @ 10 V
±20V
9820 pF @ 50 V
-
556W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
IRF150P220AKMA1
IRF150P220AKMA1
MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Infineon Technologies
1,500
现货
1 : ¥94.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
203A（Tc）
10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
4.6V @ 265µA
200 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），556W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN230N20T
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥300.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
220A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
378 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1090W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。