单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
-HEXFET®STripFET™ II
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）30A（Tc）38A（Tc）48A（Tc）57A（Tc）60A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V5V，10V10V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 25A，10V12 毫欧 @ 34A，10V14 毫欧 @ 30A，10V23 毫欧 @ 29A，10V28 毫欧 @ 19A，10V35 毫欧 @ 16A，10V40 毫欧 @ 15A，10V100 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V17 nC @ 5 V25 nC @ 5 V58 nC @ 10 V60 nC @ 10 V65 nC @ 10 V66 nC @ 4.5 V70.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±16V±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 25 V660 pF @ 25 V880 pF @ 25 V980 pF @ 25 V1360 pF @ 25 V1690 pF @ 25 V2000 pF @ 25 V4426 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）68W（Tc）70W（Tc）80W（Tc）92W（Tc）110W（Tc）211W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
STP16NF06
MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
STMicroelectronics
592
现货
1 : ¥9.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
16A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 8A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRLZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Infineon Technologies
49,009
现货
1 : ¥11.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
30A（Tc）
4V，10V
35 毫欧 @ 16A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
STP36NF06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
STMicroelectronics
470
现货
1 : ¥11.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
5V，10V
40 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 5 V
±18V
660 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP45NF06
MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
STMicroelectronics
2,078
现货
1 : ¥13.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
38A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 19A，10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
980 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP60NF06L
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STMicroelectronics
1,309
现货
1 : ¥15.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V，5V
14 毫欧 @ 30A，10V
1V @ 250µA
66 nC @ 4.5 V
±15V
2000 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-65°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44EPBF
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Infineon Technologies
12,664
现货
1 : ¥17.32000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
48A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 29A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
PSMN4R6-60PS,127
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Nexperia USA Inc.
7,709
现货
1 : ¥23.32000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
10V
4.6 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
70.8 nC @ 10 V
±20V
4426 pF @ 30 V
-
211W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44VZPBF
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Infineon Technologies
175
现货
1 : ¥23.81000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。