FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
配置
2 N 沟道（双）配对4 N 沟道，配对
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
10mV @ 1µA20mV @ 1µA
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm）8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-PDIP8-SOIC16-SOIC
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媒体
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4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
309
现货
1 : ¥40.88000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
20mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
43
现货
1 : ¥70.44000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
4 N 沟道，配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
10mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
16-SOIC
47
现货
1 : ¥35.06000
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
20mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm）
8-PDIP
0
现货
查看交期
50 : ¥40.01620
管件
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 沟道（双）配对
-
10.6V
-
500 欧姆 @ 4V
10mV @ 1µA
-
2.5pF @ 5V
500mW
0°C ~ 70°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。