单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7AMDmesh™ M2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）21A（Tc）32A（Tc）33A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
65 毫欧 @ 17.1A，10V75 毫欧 @ 16.4A，10V115 毫欧 @ 9.7A，10V230 毫欧 @ 5.2A，10V360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 200µA4.5V @ 260µA4.5V @ 490µA4.5V @ 820µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19.5 nC @ 10 V23 nC @ 10 V41 nC @ 10 V64 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
718 pF @ 100 V1044 pF @ 400 V1950 pF @ 400 V3020 pF @ 400 V3288 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
63W（Tc）110W（Tc）114W（Tc）171W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-TO263-3PG-TO263-7-3-10
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
STMicroelectronics
2,500
现货
1 : ¥16.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.63262
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
11A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 5.5A，10V
4V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±25V
718 pF @ 100 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
4,924
现货
1 : ¥39.00000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.84515
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
33A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 17.1A，10V
4.5V @ 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Infineon Technologies
2,421
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
1,000 : ¥11.44759
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
11A（Tc）
10V
230 毫欧 @ 5.2A，10V
4.5V @ 260µA
23 nC @ 10 V
±20V
1044 pF @ 400 V
-
63W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R115CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Infineon Technologies
969
现货
1 : ¥37.11000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.16415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
21A（Tc）
10V
115 毫欧 @ 9.7A，10V
4.5V @ 490µA
41 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 400 V
-
114W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PG-TO263-7-3-10
IPBE65R075CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥54.02000
剪切带（CT）
1,000 : ¥30.64490
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
32A（Tc）
10V
75 毫欧 @ 16.4A，10V
4.5V @ 820µA
68 nC @ 10 V
±20V
3288 pF @ 400 V
-
171W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3-10
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。