单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.6A（Tc）95A（Tc）200A（Tc）240A（Tc）260A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.29 毫欧 @ 50A，10V1.5 毫欧 @ 25A，10V1.9 毫欧 @ 25A，10V4 毫欧 @ 25A，10V42 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V19.4 nC @ 10 V80 nC @ 10 V91 nC @ 10 V99 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 20 V1272 pF @ 15 V6198 pF @ 20 V7752 pF @ 20 V8100 pF @ 30 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），170W（Tc）1.25W（Ta），2.1W（Tc）64W（Tc）194W（Tc）238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-DSOP AdvanceLFPAK56，Power-SO8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
31,367
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97327
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
13,595
现货
1 : ¥29.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.85177
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260A（Tc）
4.5V，10V
1.29 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN4R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
42,399
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.70978
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
95A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 1mA
19.4 nC @ 10 V
±20V
1272 pF @ 15 V
-
64W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R9-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
983
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.01870
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
200A（Tc）
10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
3.6V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±20V
6198 pF @ 20 V
肖特基二极管（体）
194W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R5-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,080
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.65767
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
240A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 25A，10V
3.6V @ 1mA
99 nC @ 10 V
±20V
7752 pF @ 20 V
肖特基二极管（体）
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。