单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Ta），3.7A（Tc）14A（Tc）30A（Tc）57A（Tc）63A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.7 毫欧 @ 21A，10V12 毫欧 @ 25A，10V13.5 毫欧 @ 30A，10V20 毫欧 @ 18A，10V110 毫欧 @ 12A，10V385 毫欧 @ 1.5，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 23µA2.2V @ 250µA2.35V @ 25µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V17.1 nC @ 10 V19 nC @ 10 V31 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
195 pF @ 50 V530 pF @ 25 V900 pF @ 13 V984.7 pF @ 30 V1000 pF @ 15 V2317 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）2W（Ta），15W（Tc）31W（Tc）48W（Tc）60W（Tc）107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6DPAKPG-TO252-3PG-TO252-3-11TO-252-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
5,068
现货
82,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.80566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Tc）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D385-100EX
MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
35,448
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89484
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.4A（Ta），3.7A（Tc）
4.5V，10V
385 毫欧 @ 1.5，10V
2.7V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±20V
195 pF @ 50 V
-
2W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TO252-3
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
31,534
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.38200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
31W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD30N03S2L20ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Infineon Technologies
4,983
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.32524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 18A，10V
2V @ 23µA
19 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 25 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR8259TRPBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Infineon Technologies
3,252
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.09207
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
57A（Tc）
4.5V，10V
8.7 毫欧 @ 21A，10V
2.35V @ 25µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
900 pF @ 13 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK SOT428
BUK9214-30A,118
MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
63A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 1mA
31 nC @ 5 V
±15V
2317 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。