单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
Dual Cool™, PowerTrench®OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.5A（Ta），60A（Tc）25A（Tc）36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V25 毫欧 @ 5A，10V32 毫欧 @ 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 5 V29 nC @ 10 V44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
664 pF @ 25 V2350 pF @ 100 V3135 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），125W（Tc）37W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）LFPAK56，Power-SO8PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Infineon Technologies
20,134
现货
1 : ¥24.79000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.56146
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
36A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 36A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-PQFN TOP
FDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
onsemi
5,621
现货
1 : ¥34.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥16.74332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14.5A（Ta），60A（Tc）
6V，10V
7.5 毫欧 @ 14.5A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
3135 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y29-40E,115
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,218
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.29239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
25A（Tc）
5V
25 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
5 nC @ 5 V
±10V
664 pF @ 25 V
-
37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。