FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Good-Ark SemiconductoronsemiPanjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20V50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta),127mA(Ta)400mA(Ta),250mA(Ta)800mA(Tc),400mA(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
300 毫欧 @ 500mA,4.5V,600 毫欧 @ 300mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V,5 欧姆 @ 100mA,4.5V1.5 欧姆 @ 500mA,10V,4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 250µA,2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.95nC @ 4.5V,1.1nC @ 4.5V2nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12.3pF @ 15V,12.8pF @ 15V36pF @ 25V,51pF @ 25V75pF @ 10V,78pF @ 10V
功率 - 最大值
125mW(Ta)275mW(Tc)350mW(Ta)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-XFLGA
供应商器件封装
6-XLLGA(0.9x0.65)SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
MMDT3904
SSFK9120
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT363
Good-Ark Semiconductor
5,950
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
20V
800mA(Tc),400mA(Tc)
300 毫欧 @ 500mA,4.5V,600 毫欧 @ 300mA,4.5V
1V @ 250µA
2nC @ 4.5V
75pF @ 10V,78pF @ 10V
275mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PJT7603_R1_00001
COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
9,969
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
50V
400mA(Ta),250mA(Ta)
1.5 欧姆 @ 500mA,10V,4 欧姆 @ 500mA,10V
1V @ 250µA,2.5V @ 250µA
0.95nC @ 4.5V,1.1nC @ 4.5V
36pF @ 25V,51pF @ 25V
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
6-XLLGA
NTND31225CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.74627
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
20V
220mA(Ta),127mA(Ta)
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V,5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
-
12.3pF @ 15V,12.8pF @ 15V
125mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-XFLGA
6-XLLGA(0.9x0.65)
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。