单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IMBF170R450M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7 Infineon Technologies	1,054 现货	1 : ¥50.16000 剪切带（CT） 1,000 : ¥28.47103 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1700 V	9.8A（Tc）	12V，15V	450毫欧 @ 2A，15V	5.7V @ 2.5mA	11 nC @ 12 V	+20V，-10V	610 pF @ 1000 V	-	107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-13	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R350M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263 Infineon Technologies	1,782 现货	1 : ¥50.90000 剪切带（CT） 1,000 : ¥26.30298 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	4.7A（Tc）	-	468 毫欧 @ 2A，18V	5.7V @ 1mA	5.9 nC @ 18 V	+18V，-15V	196 pF @ 800 V	-	65W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
UF3C120150B7S 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE Qorvo	2,766 现货	1 : ¥67.32000 剪切带（CT） 800 : ¥34.99429 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	1200 V	17A（Tc）	12V	180毫欧 @ 5A，12V	5.5V @ 10mA	25.7 nC @ 12 V	±25V	738 pF @ 100 V	-	136W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R048M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	889 现货	1 : ¥83.49000 剪切带（CT） 1,000 : ¥47.37106 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	45A（Tc）	18V	64 毫欧 @ 20.1A，18V	5.7V @ 6mA	33 nC @ 18 V	+23V，-5V	1118 pF @ 400 V	-	183W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW65R030M1HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Infineon Technologies	243 现货	1 : ¥109.19000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	58A（Tc）	18V	42 毫欧 @ 29.5A，18V	5.7V @ 8.8mA	48 nC @ 18 V	+20V，-2V	1643 pF @ 400 V	-	197W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMZA120R040M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	339 现货	1 : ¥115.02000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	55A（Tc）	15V，18V	54.4 毫欧 @ 19.3A，18V	5.2V @ 8.3mA	51 nC @ 18 V	+20V，-5V	1620 pF @ 800 V	-	227W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-8	TO-247-4
IMZA65R027M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	316 现货	1 : ¥119.12000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	59A（Tc）	18V	34 毫欧 @ 38.3A，18V	5.7V @ 11mA	63 nC @ 18 V	+23V，-5V	2131 pF @ 400 V	-	189W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-3	TO-247-4
IMBG120R030M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263 Infineon Technologies	683 现货	1 : ¥134.31000 剪切带（CT） 1,000 : ¥85.04528 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	56A（Tc）	-	41 毫欧 @ 25A，18V	5.7V @ 11.5mA	63 nC @ 18 V	+18V，-15V	2290 pF @ 800 V	-	300W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R163M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	924 现货	1 : ¥43.18000 剪切带（CT） 1,000 : ¥22.30629 卷带（TR）	CoolSIC™ M1	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	17A（Tc）	18V	217 毫欧 @ 5.7A，18V	5.7V @ 1.7mA	10 nC @ 18 V	+23V，-5V	320 pF @ 400 V	-	85W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R107M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	810 现货	1 : ¥52.13000 剪切带（CT） 1,000 : ¥29.56802 卷带（TR）	CoolSIC™ M1	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	24A（Tc）	18V	141 毫欧 @ 8.9A，18V	5.7V @ 2.6mA	15 nC @ 18 V	+23V，-5V	496 pF @ 400 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R072M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	817 现货	1 : ¥63.71000 剪切带（CT） 1,000 : ¥33.11219 卷带（TR）	CoolSIC™ M1	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	33A（Tc）	18V	94 毫欧 @ 13.3A，18V	5.7V @ 4mA	22 nC @ 18 V	+23V，-5V	744 pF @ 400 V	-	140W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW65R039M1HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Infineon Technologies	138 现货	1 : ¥67.16000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	46A（Tc）	18V	50 毫欧 @ 25A，18V	5.7V @ 7.5mA	41 nC @ 18 V	+20V，-2V	1393 pF @ 400 V	-	176W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMW65R072M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	265 现货	1 : ¥67.24000 管件	CoolSIC™ M1	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	26A（Tc）	18V	94 毫欧 @ 13.3A，18V	5.7V @ 4mA	22 nC @ 18 V	+23V，-5V	744 pF @ 400 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IMBG65R057M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	896 现货	1 : ¥73.48000 剪切带（CT） 1,000 : ¥41.66435 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	39A（Tc）	18V	74 毫欧 @ 16.7A，18V	5.7V @ 5mA	28 nC @ 18 V	+23V，-5V	930 pF @ 400 V	-	161W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMZA65R057M1HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Infineon Technologies	150 现货	1 : ¥77.66000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	35A（Tc）	18V	74 毫欧 @ 16.7A，18V	5.7V @ 5mA	28 nC @ 18 V	+20V，-2V	930 pF @ 400 V	-	133W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-3	TO-247-4
IMT65R072M1HXUMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	1,994 现货	1 : ¥62.15000 剪切带（CT） 2,000 : ¥33.02858 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	SiCFET（碳化硅）	650 V	-	18V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
IMT65R057M1HXUMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	2,000 现货	1 : ¥71.75000 剪切带（CT） 2,000 : ¥38.13159 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	SiCFET（碳化硅）	650 V	-	18V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
IMT65R039M1HXUMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	1,998 现货	1 : ¥92.11000 剪切带（CT） 2,000 : ¥48.93869 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	SiCFET（碳化硅）	650 V	-	18V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
IMT65R030M1HXUMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	1,934 现货	1 : ¥103.44000 剪切带（CT） 2,000 : ¥60.95062 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	SiCFET（碳化硅）	650 V	-	18V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
IMBG65R020M2HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	157 现货	1 : ¥132.92000 剪切带（CT） 1,000 : ¥84.19836 卷带（TR）	CoolSiC™ Gen 2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	91A（Tc）	15V，20V	24 毫欧 @ 46.9A，18V	5.6V @ 9.5mA	57 nC @ 18 V	+23V，-7V	2038 pF @ 400 V	-	326W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMT65R022M1HXUMA1 SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies	1,931 现货	1 : ¥134.56000 剪切带（CT） 2,000 : ¥79.29030 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	-	SiCFET（碳化硅）	650 V	-	18V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	PG-HSOF-8-2	8-PowerSFN
IMZA65R039M1HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Infineon Technologies	91 现货	1 : ¥97.45000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	50A（Tc）	18V	50 毫欧 @ 25A，18V	5.7V @ 7.5mA	41 nC @ 18 V	+20V，-2V	1393 pF @ 400 V	-	176W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-3	TO-247-4
IMZA65R083M1HXKSA1 SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Infineon Technologies	32 现货	1 : ¥62.97000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	26A（Tc）	18V	111 毫欧 @ 11.2A，18V	5.7V @ 3.3mA	19 nC @ 18 V	+20V，-2V	624 pF @ 400 V	-	104W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-3	TO-247-4
IMBG65R083M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥58.21000 剪切带（CT） 1,000 : ¥32.99898 卷带（TR）	CoolSIC™ M1	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	28A（Tc）	18V	111 毫欧 @ 11.2A，18V	5.7V @ 3.3mA	19 nC @ 18 V	+23V，-5V	624 pF @ 400 V	-	126W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R039M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥91.05000 剪切带（CT） 1,000 : ¥51.66061 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	54A（Tc）	18V	51 毫欧 @ 25A，18V	5.7V @ 7.5mA	41 nC @ 18 V	+23V，-5V	1393 pF @ 400 V	-	211W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA