FET、MOSFET 阵列

结果 : 5
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A9A25A40A(Tc)60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.25 毫欧 @ 10A,10V5.6 毫欧 @ 20A,10V9.3 毫欧 @ 15A,10V21.4 毫欧 @ 9A,10V28 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8nC @ 10V15.5nC @ 10V26nC @ 10V45nC @ 4.5V80nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330pF @ 15V640pF @ 15V1100pF @ 15V3500pF @ 15V4290pF @ 20V
功率 - 最大值
2.8W3W22W46W46.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
8-SOPPowerPAK® SO-8 双
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7272DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Vishay Siliconix
24,759
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.86694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
25A
9.3 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
26nC @ 10V
1100pF @ 15V
22W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7994DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
4,213
现货
1 : ¥29.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.22641
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
60A
5.6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
80nC @ 10V
3500pF @ 15V
46W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
8-SOIC
SH8KA4TB
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Rohm Semiconductor
41,298
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.80158
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
-
2 N-通道(双)
-
30V
9A
21.4 毫欧 @ 9A,10V
2.5V @ 1mA
15.5nC @ 10V
640pF @ 15V
3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
8-SOIC
SH8KA2GZETB
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Rohm Semiconductor
2,503
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.04096
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
-
2 N-通道(双)
-
30V
8A
28 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 1mA
8nC @ 10V
330pF @ 15V
2.8W
150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOP
PowerPAK® SO-8 Dual
SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.58397
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
40A(Tc)
3.25 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
45nC @ 4.5V
4290pF @ 20V
46.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。