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SIRB40DP-T1-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:
类似
SIRB40DP-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIRB40DP-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 |
原厂标准交货期 | 34 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 40V 40A（Tc） 46.2W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIRB40DP-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 40V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.25 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4290pF @ 20V | |
功率 - 最大值 | 46.2W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.08000 | ¥11.08 |
| 10 | ¥9.06400 | ¥90.64 |
| 100 | ¥7.05220 | ¥705.22 |
| 500 | ¥5.97756 | ¥2,988.78 |
| 1,000 | ¥4.86940 | ¥4,869.40 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥4.58397 | ¥13,751.91 |
| 6,000 | ¥4.36569 | ¥26,194.14 |
| 9,000 | ¥4.16420 | ¥37,477.80 |
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