SP6 单 FET,MOSFET

结果 : 30
制造商
Microchip TechnologyMicrosemi Corporation
系列
-POWER MOS 7®
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
100 V200 V500 V1000 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)78A(Tc)103A(Tc)116A(Tc)129A(Tc)145A(Tc)160A(Tc)163A(Tc)171A(Tc)180A(Tc)215A(Tc)317A(Tc)335A(Tc)372A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.6 毫欧 @ 275A,10V2.5 毫欧 @ 200A,10V3.6 毫欧 @ 290A,10V5 毫欧 @ 186A,10V5 毫欧 @ 208.5A,10V6 毫欧 @ 158.5A,10V10 毫欧 @ 248.5A,10V15 毫欧 @ 167.5A,10V20 毫欧 @ 90A,10V22.5 毫欧 @ 81.5A,10V52 毫欧 @ 107.5A,10V70 毫欧 @ 64.5A,10V78 毫欧 @ 72.5A,10V80 毫欧 @ 85.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 10mA4V @ 12mA5V @ 10mA5V @ 15mA5V @ 20mA5V @ 30mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
448 nC @ 10 V492 nC @ 10 V560 nC @ 10 V744 nC @ 10 V748 nC @ 10 V800 nC @ 10 V840 nC @ 10 V1068 nC @ 10 V1100 nC @ 10 V1116 nC @ 10 V1122 nC @ 10 V1200 nC @ 10 V1360 nC @ 10 V1602 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20600 pF @ 25 V20700 pF @ 25 V22400 pF @ 25 V27400 pF @ 25 V28000 pF @ 25 V28500 pF @ 25 V28800 pF @ 25 V28900 pF @ 25 V30900 pF @ 25 V31100 pF @ 25 V40000 pF @ 25 V42200 pF @ 25 V42700 pF @ 25 V43300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1136W(Tc)1250W(Tc)1560W(Tc)1660W(Tc)2270W(Tc)2272W(Tc)2500W(Tc)3250W(Tc)3290W(Tc)5000W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
30结果
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/ 30
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
APTM100UM45DAG
APTM100UM45DAG
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Microchip Technology
34
现货
1 : ¥3,624.46000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
215A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 107.5A,10V
5V @ 30mA
1602 nC @ 10 V
±30V
42700 pF @ 25 V
-
5000W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
APTM20SKM05G
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Microsemi Corporation
0
现货
100 : ¥842.51070
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
317A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 158.5A,10V
5V @ 10mA
448 nC @ 10 V
±30V
27400 pF @ 25 V
-
1136W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
APTM120DA15G
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Microsemi Corporation
0
现货
10 : ¥1,357.46700
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
60A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 10mA
748 nC @ 10 V
±30V
20600 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
APTM120SK15G
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
Microsemi Corporation
0
现货
10 : ¥1,357.46700
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
60A(Tc)
10V
175 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 10mA
748 nC @ 10 V
±30V
20600 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
APTM120UM95FAG
MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
Microsemi Corporation
0
现货
4 : ¥1,681.51250
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
103A(Tc)
10V
114 毫欧 @ 51.5A,10V
5V @ 15mA
1122 nC @ 10 V
±30V
30900 pF @ 25 V
-
2272W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
APTM50DAM19G
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,730.21667
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
163A(Tc)
10V
22.5 毫欧 @ 81.5A,10V
5V @ 10mA
492 nC @ 10 V
±30V
22400 pF @ 25 V
-
1136W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
APTM50SKM19G
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,730.21667
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
163A(Tc)
10V
22.5 毫欧 @ 81.5A,10V
5V @ 10mA
492 nC @ 10 V
±30V
22400 pF @ 25 V
-
1136W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTM20DAM05G
APTM20DAM05G
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,765.84667
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
317A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 158.5A,10V
5V @ 10mA
448 nC @ 10 V
±30V
27400 pF @ 25 V
-
1136W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
APTM120U10DAG
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
Microsemi Corporation
0
现货
10 : ¥1,914.17300
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
160A(Tc)
10V
120 毫欧 @ 58A,10V
5V @ 20mA
1100 nC @ 10 V
±30V
28900 pF @ 25 V
-
3290W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
APTM20DAM04G
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,949.91000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
372A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 186A,10V
5V @ 10mA
560 nC @ 10 V
±30V
28900 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTM20SKM04G
APTM20SKM04G
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,949.91000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
372A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 186A,10V
5V @ 10mA
560 nC @ 10 V
±30V
28900 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
APTM100DAM90G
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,983.33833
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
78A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 39A,10V
5V @ 10mA
744 nC @ 10 V
±30V
20700 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
APTM50DAM17G
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,983.66667
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
180A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 90A,10V
5V @ 10mA
560 nC @ 10 V
±30V
28000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
APTM50SKM17G
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
6 : ¥1,983.66667
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
180A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 90A,10V
5V @ 10mA
560 nC @ 10 V
±30V
28000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
5 : ¥2,020.18600
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
495A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 200A,10V
4V @ 10mA
1360 nC @ 10 V
±30V
40000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
APTM10SKM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
5 : ¥2,020.18600
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
495A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 200A,10V
4V @ 10mA
1360 nC @ 10 V
±30V
40000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
APTM20UM04SAG
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
5 : ¥2,455.96400
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
417A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 208.5A,10V
5V @ 10mA
560 nC @ 10 V
±30V
28800 pF @ 25 V
-
1560W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
APTM10UM02FAG
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥2,609.01500
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
570A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 200A,10V
4V @ 10mA
1360 nC @ 10 V
±30V
40000 pF @ 25 V
-
1660W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
APTM50UM13SAG
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥2,827.21000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
335A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 167.5A,10V
5V @ 20mA
800 nC @ 10 V
±30V
42200 pF @ 25 V
-
3290W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APTM100UM65DAG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥2,830.90500
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
145A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 72.5A,10V
5V @ 20mA
1068 nC @ 10 V
±30V
28500 pF @ 25 V
-
3250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTM120U10SAG
APTM120U10SAG
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥2,881.41500
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
116A(Tc)
10V
120 毫欧 @ 58A,10V
5V @ 20mA
1100 nC @ 10 V
±30V
28900 pF @ 25 V
-
3290W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTM100UM65SAG
APTM100UM65SAG
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥2,982.79000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
145A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 72.5A,10V
5V @ 20mA
1068 nC @ 10 V
±30V
28500 pF @ 25 V
-
3250W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTM20UM03FAG
APTM20UM03FAG
MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥3,054.70500
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
580A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 290A,10V
5V @ 15mA
840 nC @ 10 V
±30V
43300 pF @ 25 V
-
2270W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
APTM10UM01FAG
APTM10UM01FAG
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥3,096.98000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
860A(Tc)
10V
1.6 毫欧 @ 275A,10V
4V @ 12mA
2100 nC @ 10 V
±30V
60000 pF @ 25 V
-
2500W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
APTM100UM60FAG
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
Microchip Technology
0
现货
查看交期
4 : ¥3,272.20250
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
129A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 64.5A,10V
5V @ 15mA
1116 nC @ 10 V
±30V
31100 pF @ 25 V
-
2272W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SP6
SP6
显示
/ 30

SP6 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。