DirectFET™ 等容 ST 单 FET,MOSFET

结果 : 25
系列
HEXFET®OptiMOS™ 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.7A(Ta),55A(Tc)13A(Ta),55A(Tc)13A(Ta),58A(Tc)14A(Ta),55A(Tc)16A(Ta),55A(Tc)16A(Ta),72A(Tc)18A(Ta),81A(Tc)47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 18A,10V5.4 毫欧 @ 16A,10V5.7 毫欧 @ 15A,10V7.3 毫欧 @ 13A,10V8.1 毫欧 @ 15A,10V8.3 毫欧 @ 12.7A,10V9 毫欧 @ 13A,10V11 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA2.25V @ 250µA2.35V @ 250µA2.4V @ 50µA2.45V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 4.5 V24 nC @ 4.5 V27 nC @ 4.5 V29 nC @ 4.5 V46 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 15 V1320 pF @ 15 V1360 pF @ 10 V2120 pF @ 15 V2380 pF @ 15 V2420 pF @ 10 V2560 pF @ 20 V3700 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta),42W(Tc)2.1W(Ta),42W(Tc)2.2W(Ta),42W(Tc)38W(Tc)
供应商器件封装
DIRECTFET™ STMG-WDSON-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
25结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF6614TR1PBF
IRF6623TRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
8,615
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
4,800 : ¥7.50479
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
9,700
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
47A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 33µA
46 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 30 V
-
38W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
MG-WDSON-2
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6614
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
4,800 : ¥7.85410
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.7A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
2.25V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2560 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥8.59041
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.7A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
2.25V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2560 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6608
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
4,800 : ¥9.13833
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±12V
2120 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6623TR1
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥9.50753
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
64-9144
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
4,800 : ¥9.70086
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 15A,10V
2.35V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6636
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
4,800 : ¥9.76454
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
18A(Ta),81A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 18A,10V
2.45V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±20V
2420 pF @ 10 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥9.99503
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±12V
2120 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6626
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
4,800 : ¥10.26226
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta),72A(Tc)
4.5V,10V
5.4 毫欧 @ 16A,10V
2.35V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2380 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6617TR1
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥10.61035
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 15A,10V
2.35V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6636TR1
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥10.67997
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
18A(Ta),81A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 18A,10V
2.45V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±20V
2420 pF @ 10 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6623
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
4,800 : ¥8.69258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6626TR1
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥11.35991
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta),72A(Tc)
4.5V,10V
5.4 毫欧 @ 16A,10V
2.35V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2380 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6623TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
16A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
5.7 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1360 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6614TRPBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.7A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
2.25V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2560 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6617TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 15A,10V
2.35V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6617TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 15A,10V
2.35V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6626TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta),72A(Tc)
4.5V,10V
5.4 毫欧 @ 16A,10V
2.35V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2380 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6626TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Ta),72A(Tc)
4.5V,10V
5.4 毫欧 @ 16A,10V
2.35V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2380 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6636TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
18A(Ta),81A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 18A,10V
2.45V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±20V
2420 pF @ 10 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
18A(Ta),81A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 18A,10V
2.45V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±20V
2420 pF @ 10 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6614TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12.7A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
2.25V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±20V
2560 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6722STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),58A(Tc)
4.5V,10V
7.3 毫欧 @ 13A,10V
2.4V @ 50µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1320 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
IRF6614TR1PBF
IRF6722STRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta),58A(Tc)
4.5V,10V
7.3 毫欧 @ 13A,10V
2.4V @ 50µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1320 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ ST
DirectFET™ 等容 ST
显示
/ 25

DirectFET™ 等容 ST 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。