IRF6608TR1

DigiKey 零件编号
IRF6608TR1-ND - 卷带（TR）
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRF6608TR1
描述
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2120 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），42W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ ST
封装/外壳
DirectFET™ 等容 ST