9.7A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SI4427BDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO Vishay Siliconix	3,848 现货	1 : ¥13.05000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.38304 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	9.7A（Ta）	2.5V，10V	10.5 毫欧 @ 12.6A，10V	1.4V @ 250µA	70 nC @ 4.5 V	±12V	-	-	1.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
AO4419 MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	31,661 现货	1 : ¥3.94000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.83694 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	9.7A（Ta）	4.5V，10V	20 毫欧 @ 9.7A，10V	2.7V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 15 V	-	3.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMG4468LK3-13 MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3 Diodes Incorporated	2,220 现货 10,000 工厂	1 : ¥4.60000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.55819 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	9.7A（Ta）	4.5V，10V	16 毫欧 @ 11.6A，10V	1.95V @ 250µA	18.85 nC @ 10 V	±20V	867 pF @ 15 V	-	1.68W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK10A50W,S5X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	128 现货	1 : ¥15.43000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	9.7A（Ta）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	30W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK10P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	4,498 现货	1 : ¥29.80000 剪切带（CT） 2,000 : ¥9.14367 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Ta）	10V	430 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TK10P50W,RQ PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Toshiba Semiconductor and Storage	1,609 现货	1 : ¥19.95000 剪切带（CT） 2,000 : ¥5.83923 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	9.7A（Ta）	10V	430 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NTP75N03RG MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB onsemi	0 现货 4,012 市场	停产	-	管件管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	9.7A（Ta）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 20A，10V	2V @ 250µA	13.2 nC @ 5 V	±20V	1333 pF @ 20 V	-	1.25W（Ta），74.4W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
NTP75N03R MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	9.7A（Ta）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 20A，10V	2V @ 250µA	13.2 nC @ 5 V	±20V	1333 pF @ 20 V	-	1.25W（Ta），74.4W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
FDW264P MOSFET P-CH 20V 9.7A 8TSSOP Fairchild Semiconductor	1,494 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	9.7A（Ta）	2.5V，4.5V	10 毫欧 @ 9.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	135 nC @ 5 V	±12V	7225 pF @ 10 V	-	1.3W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-TSSOP	8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
TK10A60W5,S5VX MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	98 现货	1 : ¥22.25000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Ta）	10V	450 毫欧 @ 4.9A，10V	4.5V @ 500µA	25 nC @ 10 V	±30V	720 pF @ 300 V	-	30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK10E60W,S1VX MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220 Toshiba Semiconductor and Storage	71 现货	1 : ¥32.43000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Ta）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
DMT8012LSS-13 MOSFET N-CH 80V 9.7A 8SO Diodes Incorporated	919 现货	1 : ¥6.98000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.88286 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	9.7A（Ta）	4.5V，10V	16.5 毫欧 @ 12A，10V	3V @ 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	1949 pF @ 40 V	-	1.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TK10A60W,S4VX MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	45 现货	1 : ¥21.92000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Ta）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK10Q60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK Toshiba Semiconductor and Storage	75 现货	1 : ¥29.80000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Ta）	10V	430 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK
PMPB11R2VPX MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6 Nexperia USA Inc.	0 现货查看交期	1 : ¥3.28000 剪切带（CT） 6,000 : ¥1.01713 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	9.7A（Ta）	-	14 毫欧 @ 9.7A，4.5V	900mV @ 250µA	39 nC @ 4.5 V	±8V	2230 pF @ 6 V	-	1.9W（Ta），12.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DFN2020MD-6	6-UDFN 裸露焊盘
TK10A60W,S4X MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220 Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	2,500 : ¥12.00684 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Ta）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	720 pF @ 300 V	-	30W（Tc）	-	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
SI4427BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO Vishay Siliconix	0 现货	1 : ¥14.45000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.50666 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	9.7A（Ta）	10V	10.5 毫欧 @ 12.6A，10V	1.4V @ 250µA	70 nC @ 4.5 V	±12V	-	-	1.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TK10V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥35.88000 剪切带（CT） 2,500 : ¥12.41733 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Ta）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nC @ 10 V	±30V	700 pF @ 300 V	-	88.3W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	4-DFN-EP（8x8）	4-VSFN 裸露焊盘
AO4419L MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货	停产	-	散装	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	9.7A（Ta）	4.5V，10V	20 毫欧 @ 9.7A，10V	2.7V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 15 V	-	3.1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）