70A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesSMC Diode Solutions
系列
-CoolMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
60 V600 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 23A, 10V34 毫欧 @ 50A,20V37 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA4V @ 15mA4.7V @ 680µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
79 nC @ 10 V150 nC @ 10 V177 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±20V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3458 pF @ 400 V4150 pF @ 1000 V4802 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
170W(Tj)311W(Tc)390W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TO220-3-1TO-252(DPAK)TO-263-7
封装/外壳
8-PowerSFNTO-220-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,962
现货
1 : ¥52.46000
剪切带(CT)
2,000 : ¥27.86892
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
70A(Tj)
10V
37 毫欧 @ 27A,10V
4.7V @ 680µA
79 nC @ 10 V
±20V
3458 pF @ 400 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
488
现货
1 : ¥54.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
70A(Tj)
10V
37 毫欧 @ 27A,10V
4.7V @ 680µA
79 nC @ 10 V
±20V
3458 pF @ 400 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
SSFD20N24
SSFD6017
MOSFET, P-CH, SINGLE, -70.00A, -
Good-Ark Semiconductor
4,735
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.89251
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
70A(Tj)
10V
17 毫欧 @ 23A, 10V
3V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4802 pF @ 25 V
-
170W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-7
S2M0025120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
50
现货
1 : ¥186.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
70A(Tj)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
177 nC @ 20 V
+25V,-10V
4150 pF @ 1000 V
-
311W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 4

70A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。