6-PowerXDFN 单 FET，MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V115 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）7.3A（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 20A，10V26 毫欧 @ 6.4A，4.5V90 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V14.9 nC @ 10 V28.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
251 pF @ 50 V1009 pF @ 15 V2530 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）900mW（Ta）910mW（Ta）
供应商器件封装
X2-DFN2020-6X2-DFN2020-6（W 类）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
U-DFN2020-6 Type E
DMP2039UFDE4-7
MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Diodes Incorporated
2,990
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54511
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
7.3A（Ta）
1.8V，4.5V
26 毫欧 @ 6.4A，4.5V
1V @ 250µA
28.2 nC @ 4.5 V
±8V
2530 pF @ 15 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN2020-6
6-PowerXDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMT12H090LFDF4-7
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Diodes Incorporated
2,990
现货
243,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.84560
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
115 V
3.4A（Ta）
3V，10V
90 毫欧 @ 3.5A，10V
2.2V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±12V
251 pF @ 50 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN2020-6
6-PowerXDFN
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
DMT35M4LFDF4-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.32937
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
14.9 nC @ 10 V
±20V
1009 pF @ 15 V
-
910mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN2020-6（W 类）
6-PowerXDFN
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
DMT35M4LFDF4-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.50833
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
14.9 nC @ 10 V
±20V
1009 pF @ 15 V
-
910mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN2020-6（W 类）
6-PowerXDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Diodes Incorporated
0
现货
30,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥2.54709
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
115 V
3.4A（Ta）
3V，10V
90 毫欧 @ 3.5A，10V
2.2V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±12V
251 pF @ 50 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN2020-6
6-PowerXDFN
显示
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6-PowerXDFN 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。