Name: DMT12H090LFDF4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND
Price: 7.47 CNY
Availability: InStock

DMT12H090LFDF4-7
DigiKey 零件编号	31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND - 卷带（TR） 31-DMT12H090LFDF4-7CT-ND - 剪切带（CT） 31-DMT12H090LFDF4-7DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMT12H090LFDF4-7
描述	MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
原厂标准交货期	8 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 115 V 3.4A（Ta） 900mW（Ta） X2-DFN2020-6
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	115 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	90 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	251 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	900mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	X2-DFN2020-6
封装/外壳	6-PowerXDFN
基本产品编号	DMT12

DMT12H090LFDF4-7