57A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 55
制造商
Infineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiSanken Electric USA Inc.SemiQVishay General Semiconductor - Diodes DivisionVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
-EHEXFET®PolarP™POWER MOS 7®POWER MOS 8™POWER MOS V®PowerTrench®QFET®SuperFET® VTrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V400 V500 V600 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6V,10V10V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.6 毫欧 @ 15A,10V8.5 毫欧 @ 21A,10V8.7 毫欧 @ 10A,10V8.7 毫欧 @ 21A,10V8.8 毫欧 @ 28.5A,10V9.1 毫欧 @ 15A,10V9.2 毫欧 @ 28.5A,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V12 毫欧 @ 34A,10V15 毫欧 @ 15A,10V15 毫欧 @ 49A,10V16 毫欧 @ 49A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.15V @ 1mA2.2V @ 1mA2.35V @ 25µA2.5V @ 650µA2.8V @ 1mA3.5V @ 250µA3.6V @ 8.77mA4V @ 10mA4V @ 110µA4V @ 1mA4V @ 2.5mA4V @ 250µA4.3V @ 6.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 4.5 V11.3 nC @ 10 V16.7 nC @ 10 V20 nC @ 6 V38.6 nC @ 10 V40 nC @ 10 V45 nC @ 10 V61.8 nC @ 10 V65 nC @ 10 V69 nC @ 10 V75 nC @ 18 V94 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
±10V±16V+19V,-8V±20V+22V,-10V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
655 pF @ 15 V894 pF @ 15 V900 pF @ 13 V1690 pF @ 25 V1700 pF @ 800 V2000 pF @ 25 V2090 pF @ 50 V2500 pF @ 25 V2520 pF @ 25 V2527 pF @ 75 V2600 pF @ 25 V2650 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.75W(Ta),160W(Tc)3.75W(Ta),300W(Tc)45W(Tc)48W(Tc)52W(Tc)54W(Tc)55W(Tc)68W(Tc)90W(Tc)92W(Tc)104W(Tj)110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN(3.3x3.3)D2PAKD2PAK-7DFN5060DPAKIPAKISOPLUS247™ISOTOP®LFPAK33LFPAK56,Power-SO8PowerPAK® SO-8SOT-227
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
55结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 55
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Infineon Technologies
4,504
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Infineon Technologies
1,036
现货
1 : ¥23.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
8-WDFN
FDMC86184
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
onsemi
130
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.05301
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
6V,10V
8.5 毫欧 @ 21A,10V
4V @ 110µA
20 nC @ 6 V
±20V
2090 pF @ 50 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,108
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
800 : ¥8.54251
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FDP150N10
MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
onsemi
1,077
现货
3,200
工厂
1 : ¥21.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 49A,10V
4.5V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
4760 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB
SUP57N20-33-E3
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Vishay Siliconix
406
现货
1 : ¥36.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
57A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4332PBF
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Infineon Technologies
342
现货
1 : ¥39.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
57A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 35A,10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
5860 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3
NTHL041N60S5H
NTHL041N60S5H
onsemi
398
现货
9,900
工厂
1 : ¥84.48000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
57A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 28.5A,10V
4.3V @ 6.7mA
108 nC @ 10 V
±30V
5840 pF @ 400 V
-
329W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-227-4, miniBLOC
APT53F80J
MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
Microchip Technology
109
现货
1 : ¥573.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
57A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 43A,10V
5V @ 5mA
570 nC @ 10 V
±30V
17550 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
LFPAK33
PSMN7R5-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,933
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
1,500 : ¥1.87073
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
57A(Tc)
4.5V,10V
7.6 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 1mA
11.3 nC @ 10 V
±20V
655 pF @ 15 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
PowerPak SO-8L
SQJA06EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,894
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.94434
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
57A(Tc)
10V
8.7 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
onsemi
584
现货
1 : ¥31.44000
剪切带(CT)
800 : ¥18.96191
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 49A,10V
4.5V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
4760 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN9R1-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,694
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.01417
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
57A(Tc)
4.5V,10V
9.1 毫欧 @ 15A,10V
2.15V @ 1mA
16.7 nC @ 10 V
±20V
894 pF @ 15 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerPak SO-8L
SQJA92EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,680
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.88436
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
57A(Tc)
10V
9.5 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2650 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PowerTDFN
MCAC57N15Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
9,830
现货
1 : ¥16.83000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.31147
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
57A(Tc)
6V,10V
17 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2527 pF @ 75 V
-
104W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
TO-262-3 Long Leads
FDI150N10
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
onsemi
3,088
现货
1 : ¥23.32000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 49A,10V
4.5V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
4760 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262(I2PAK)
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
D2PAK-7
NTBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
onsemi
685
现货
1 : ¥77.74000
剪切带(CT)
800 : ¥48.99590
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
57A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+22V,-10V
1700 pF @ 800 V
-
263W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
D2PAK-7
NVBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
onsemi
800
现货
1 : ¥153.76000
剪切带(CT)
800 : ¥106.16159
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
57A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+22V,-10V
1700 pF @ 800 V
-
263W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO252-3
IRLR8259TRPBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Infineon Technologies
3,252
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.09207
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
57A(Tc)
4.5V,10V
8.7 毫欧 @ 21A,10V
2.35V @ 25µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
900 pF @ 13 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRFZ44VZPBF
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Infineon Technologies
175
现货
1 : ¥23.81000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
57A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
C3M0065100K
E3M0040120K
SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
78
现货
1 : ¥191.36000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
57A(Tc)
15V
53 毫欧 @ 31.9A,15V
3.6V @ 8.77mA
94 nC @ 15 V
+19V,-8V
2726 pF @ 1000 V
-
242W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
SemiQ
95
现货
1 : ¥231.75000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
57A(Tc)
20V
52 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
121 nC @ 20 V
+25V,-10V
3185 pF @ 1000 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
SOT-227-4  miniBLOC
GCMS040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
SemiQ
63
现货
1 : ¥275.43000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
57A(Tc)
20V
52 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
124 nC @ 20 V
+25V,-10V
3110 pF @ 1000 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
TO-263-3, D2Pak
SKI06106
MOSFET N-CH 60V 57A TO263
Sanken Electric USA Inc.
4
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
57A(Tc)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 28.5A,10V
2.5V @ 650µA
38.6 nC @ 10 V
±20V
2520 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44VZSPBF
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥9.79052
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
57A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 55

57A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。