51A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FDMS86183 MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN onsemi	13,406 现货 24,000 工厂	1 : ¥12.89000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.32173 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	51A（Tc）	6V，10V	12.8 毫欧 @ 16A，10V	4V @ 90µA	14 nC @ 6 V	±20V	1515 pF @ 50 V	-	63W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerTDFN
IRFB52N15DPBF MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB Infineon Technologies	408 现货	1 : ¥22.66000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	51A（Tc）	10V	32 毫欧 @ 36A，10V	5V @ 250µA	89 nC @ 10 V	±30V	2770 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
FDP51N25 MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3 onsemi	795 现货	1 : ¥22.82000 管件	UniFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	51A（Tc）	10V	60 毫欧 @ 25.5A，10V	5V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±30V	3410 pF @ 25 V	-	320W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FDPF51N25 MOSFET N-CH 250V 51A TO220F onsemi	1,068 现货	1 : ¥19.46000 管件	UniFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	51A（Tc）	10V	60 毫欧 @ 25.5A，10V	5V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±30V	3410 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
IRFS52N15DTRLP MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Infineon Technologies	4,218 现货	1 : ¥22.58000 剪切带（CT） 800 : ¥12.61535 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	51A（Tc）	10V	32 毫欧 @ 36A，10V	5V @ 250µA	89 nC @ 10 V	±30V	2770 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PSMN016-100YS,115 MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	2,446 现货	1 : ¥10.02000 剪切带（CT） 1,500 : ¥4.41021 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	51A（Tc）	10V	16.3 毫欧 @ 15A，10V	4V @ 1mA	54 nC @ 10 V	±20V	2744 pF @ 50 V	-	117W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
NVTFS5C466NLTAG MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN onsemi	1,400 现货	1 : ¥10.92000 剪切带（CT） 1,500 : ¥4.80431 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	51A（Tc）	4.5V，10V	7.3 毫欧 @ 10A，10V	2.2V @ 250µA	7 nC @ 4.5 V	±20V	880 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-WDFN（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
RCX511N25 MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM Rohm Semiconductor	572 现货	1 : ¥25.04000 散装	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	51A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 25.5A，10V	5V @ 1mA	120 nC @ 10 V	±30V	7000 pF @ 25 V	-	2.23W（Ta），40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FM	TO-220-3 整包
RCJ510N25TL MOSFET N-CH 250V 51A LPTS Rohm Semiconductor	5,012 现货	1 : ¥27.50000 剪切带（CT） 1,000 : ¥18.29695 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	51A（Tc）	10V	65 毫欧 @ 25.5A，10V	5V @ 1mA	120 nC @ 10 V	±30V	7000 pF @ 25 V	-	1.56W（Ta），40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LPTS	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SIHG050N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC Vishay Siliconix	432 现货	1 : ¥54.51000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	51A（Tc）	10V	50 毫欧 @ 23A，10V	5V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	3459 pF @ 100 V	-	278W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SCT4026DW7HRTL 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	1,000 现货	1 : ¥179.71000 剪切带（CT） 1,000 : ¥115.25126 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	750 V	51A（Tc）	18V	34 毫欧 @ 29A，18V	4.8V @ 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V，-4V	2320 pF @ 500 V	-	150W	175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-263-7L	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SIHP050N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB Vishay Siliconix	936 现货	1 : ¥73.39000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	51A（Tc）	10V	50 毫欧 @ 23A，10V	5V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	3459 pF @ 100 V	-	278W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
TSM60NE069PW C0G 600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH Taiwan Semiconductor Corporation	300 现货	1 : ¥86.86000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	51A（Tc）	10V，12V	60 毫欧 @ 17A，12V	6V @ 3.5mA	86 nC @ 10 V	±30V	3566 pF @ 300 V	-	417W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
MSC060SMA070SDT/R MOSFET SIC 700 V 60 MOHM TO-263- Microchip Technology	800 现货	1 : ¥88.17000 剪切带（CT） 800 : ¥70.76649 卷带（TR）	mSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	700 V	51A（Tc）	18V，20V	75 毫欧 @ 20A，20V	5V @ 1mA	56 nC @ 20 V	+23V，-10V	1160 pF @ 700 V	-	240W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT4026DWATL 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	1,000 现货	1 : ¥120.27000 剪切带（CT） 1,000 : ¥76.14723 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	750 V	51A（Tc）	18V	34 毫欧 @ 29A，18V	4.8V @ 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V，-4V	2320 pF @ 500 V	-	-	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263-7LA	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT4026DWAHRTL 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	980 现货	1 : ¥123.88000 剪切带（CT） 1,000 : ¥78.44097 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	750 V	51A（Tc）	18V	34 毫欧 @ 29A，18V	4.8V @ 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V，-4V	2320 pF @ 500 V	-	-	175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-263-7LA	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
NTDV5805NT4G MOSFET N-CH 40V 51A DPAK onsemi	0 现货 14,538 市场	833 : ¥2.62192 散装	-	卷带（TR）散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	51A（Tc）	5V，10V	9.5 毫欧 @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	1725 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NVD5805NT4G MOSFET N-CH 40V 51A DPAK onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	51A（Tc）	5V，10V	9.5 毫欧 @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	1725 pF @ 25 V	-	47W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
AUIRLZ44ZL MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB International Rectifier	9,850 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	51A（Tc）	-	13.5 毫欧 @ 31A，10V	3V @ 250µA	36 nC @ 5 V	±16V	1620 pF @ 25 V	-	80W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ46ZSTRLPBF IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE International Rectifier	62,152 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	51A（Tc）	10V	13.6 毫欧 @ 31A，10V	4V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±20V	1460 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFZ46ZSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Infineon Technologies	0 现货 6,080 市场	3,200 : ¥6.44467 卷带（TR） 356 : ¥6.11781 散装	HEXFET®	卷带（TR）散装	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	51A（Tc）	10V	13.6 毫欧 @ 31A，10V	4V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±20V	1460 pF @ 25 V	-	82W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
AUIRLZ44Z MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Infineon Technologies	0 现货 1,887 市场	310 : ¥7.06461 散装	HEXFET®	散装管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	51A（Tc）	4.5V，10V	13.5 毫欧 @ 31A，10V	3V @ 250µA	36 nC @ 5 V	±16V	1620 pF @ 25 V	-	80W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
FDPF51N25YDTU MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3 onsemi	0 现货	停产	UniFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	51A（Tc）	10V	60 毫欧 @ 25.5A，10V	5V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±30V	3410 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3（Y 型）	TO-220-3 全封装，成形引线
IRLZ44ZSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Infineon Technologies	1,573 现货	1 : ¥12.07000 剪切带（CT） 800 : ¥6.49690 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	51A（Tc）	4.5V，10V	13.5 毫欧 @ 31A，10V	3V @ 250µA	36 nC @ 5 V	±16V	1620 pF @ 25 V	-	80W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFZ44ZPBF MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB Infineon Technologies	519 现货	1 : ¥13.71000 管件	HEXFET®	管件	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	51A（Tc）	10V	13.9 毫欧 @ 31A，10V	4V @ 250µA	43 nC @ 10 V	±20V	1420 pF @ 25 V	-	80W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3