3.2A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 82
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP SemiconductorsNXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationTaiwan Semiconductor CorporationTexas Instruments
系列
-FemtoFET™HEXFET®NexFET™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIIIU-MOSVIXP2302XP3P080π-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V16 V20 V30 V60 V100 V200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.8V,10V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V2.7V,4.5V3V,4.5V4.5V,10V6V,10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 10A,10V33 毫欧 @ 1.5A,4.5V35 毫欧 @ 3.2A,4.5V35 毫欧 @ 900mA,8V45 毫欧 @ 3.2A,4.5V47 毫欧 @ 2A,4.5V48 毫欧 @ 2A,4V48 毫欧 @ 3.6A,4.5V50 毫欧 @ 1.6A,4.5V51 毫欧 @ 4A,4.5V54 毫欧 @ 3.2A,4.5V55 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)800mV @ 1mA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.52 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 5 V5.9 nC @ 4 V6 nC @ 4.5 V6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-12V-6V±5V+6V,-8V+8V,-10V±8V±10V±12V12V±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
24 pF @ 10 V76 pF @ 0 V100 pF @ 15 V145 pF @ 10 V150 pF @ 15 V152 pF @ 10 V190 pF @ 10 V200 pF @ 10 V209 pF @ 15 V210 pF @ 25 V250 pF @ 20 V290 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
317mW(Ta),8.33W(Tc)350mW(Ta)380mW(Ta)400mW(Ta),8.33W(Tc)500mW(Ta)500mW(Ta),6.25W(Tc)550mW(Ta)630mW(Ta),5.7W(Tc)710mW(Ta)750mW(Ta)800mW(Ta)900mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
3-PICOSTAR6-DSBGA(1x1.5)6-MicroFET(2x2)6-TSOP8-SOPDFN1010D-3DFN2020B-6DFN2020MD-6ES6Micro6™(TSOP-6)PG-SOT89PowerPAK® SO-8
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA,DSBGA6-VDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323SC-74,SOT-457SOT-23-3 扁平引线SOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
82结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 82
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
onsemi
48,027
现货
240,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73768
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
1.25W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2160U-7
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
67,233
现货
1,428,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
80 毫欧 @ 1.5A,4.5V
900mV @ 250µA
-
±12V
627 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
49,313
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.81382
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.5V,4.5V
54 毫欧 @ 3.2A,4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
551 pF @ 10 V
-
400mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
ZXMN3A14FTA
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
13,282
现货
420,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.87110
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.2A,10V
2.2V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
448 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-6
ZXMP3A17E6TA
MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Diodes Incorporated
110,842
现货
102,000
工厂
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.30791
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.2A,10V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
PowerPAK SO-8
SI7465DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
20,160
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.30101
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
64 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7465DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,267
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.30101
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
64 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
FDT86106LZ
FDT86106LZ
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
onsemi
13,179
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.61793
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
108 毫欧 @ 3.2A,10V
2.2V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 50 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
PowerPAK SO-8
SI7450DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,489
现货
1 : ¥22.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.31359
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.2A(Ta)
6V,10V
80 毫欧 @ 4A,10V
4.5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7450DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,730
现货
1 : ¥22.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.31359
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.2A(Ta)
6V,10V
80 毫欧 @ 4A,10V
4.5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB65UPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
70,046
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.45292
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.2A(Ta)
1.2V,4.5V
72 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 6 V
-
317mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
TO-236AB
PMV52ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
10,175
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79868
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.2A,10V
2.5V @ 250µA
3.3 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 15 V
-
630mW(Ta),5.7W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV52ENER
PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
7,588
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81844
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.2A,10V
2.5V @ 250µA
3.3 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 15 V
-
630mW(Ta),5.7W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB100XPEAX
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN
Nexperia USA Inc.
3,020
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69559
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
3V,4.5V
122 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1.25V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
+8V,-10V
388 pF @ 10 V
-
550mW(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2305CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
103,514
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.37925
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
55 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±8V
990 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-363
NTJS3157NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
onsemi
16,249
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97584
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
60 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
500 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
X2-DFN1010-3
DMN1045UFR4-7
MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Diodes Incorporated
13,301
现货
258,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80218
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.2A(Ta)
1.5V,4.5V
45 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1010-3
3-XFDFN
TO-236AB
PMV50UPE,215
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
25,151
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81657
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
66 毫欧 @ 3.2A,4.5V
900mV @ 250µA
15.7 nC @ 4.5 V
±8V
24 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NVR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
onsemi
7,690
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.23527
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
2.5V,4.5V
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
1.25W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSDxxxxxF5x
CSD25485F5
MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
Texas Instruments
14,923
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86644
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.8V,8V
35 毫欧 @ 900mA,8V
1.3V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
-12V
533 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT-89 Pkg
BSS606NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Infineon Technologies
21,661
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.56651
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.2A,10V
2.3V @ 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT89
TO-243AA
SOT-23-6
IRLMS1503TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Infineon Technologies
37,165
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.51780
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 2.2A,10V
1V @ 250µA
9.6 nC @ 10 V
±20V
210 pF @ 25 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6
5,427
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84361
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.2A(Ta)
1.5V,4.5V
93 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1V @ 1mA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB40UNEZ
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
3,212
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.53876
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.2A(Ta)
1.2V,4.5V
45 毫欧 @ 3.2A,4.5V
900mV @ 250µA
11.6 nC @ 4.5 V
±8V
556 pF @ 10 V
-
400mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB65ENEZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
12,630
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.95099
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
67 毫欧 @ 3.2A,10V
2.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
295 pF @ 15 V
-
400mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
显示
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3.2A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。