25A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 30A,10V2.5 毫欧 @ 30A,10V2.6 毫欧 @ 100A,10V2.6 毫欧 @ 50A,4.5V2.7 毫欧 @ 50A,10V3.1 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 200µA2V @ 250µA2V @ 90µA2.2V @ 250µA2.8V @ 75µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
51 nC @ 5 V52.7 nC @ 4.5 V56 nC @ 10 V74 nC @ 10 V95.4 nC @ 10 V124 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4100 pF @ 30 V4556 pF @ 30 V6100 pF @ 15 V6540 pF @ 15 V7800 pF @ 10 V9600 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),167W(Tc)2.5W(Ta),83W(Tc)2.5W(Ta),96W(Tc)2.8W(Ta),78W(Tc)2.8W(Ta),89W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3.2W(Ta),167W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TO263-3PowerDI5060-8PowerDI5060-8(UX 类)
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC020N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Infineon Technologies
32,001
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.94641
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Infineon Technologies
2,913
现货
1 : ¥19.46000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.17795
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.6 毫欧 @ 100A,10V
2.8V @ 75µA
56 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 30 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
DMPH4015SPSQ-13
DMTH6004SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Diodes Incorporated
2,500
现货
292,500
工厂
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.86499
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta),100A(Tc)
10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
95.4 nC @ 10 V
±20V
4556 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC026N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
26,892
市场
1 : ¥14.04000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.07949
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
25A(Ta),100A(Tc)
2.5V,4.5V
2.6 毫欧 @ 50A,4.5V
1.2V @ 200µA
52.7 nC @ 4.5 V
±12V
7800 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC025N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Infineon Technologies
38,548
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.48318
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC027N03S G
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
5,000 : ¥8.88999
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.7 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 90µA
51 nC @ 5 V
±20V
6540 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMTH6004SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥12.13107
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta),100A(Tc)
10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
95.4 nC @ 10 V
±20V
4556 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMTH6004SPS-13
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
Diodes Incorporated
0
现货
10,000
工厂
查看交期
1 : ¥14.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.29200
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
25A(Ta),100A(Tc)
10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
95.4 nC @ 10 V
±20V
4556 pF @ 30 V
-
2.1W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
/ 8

25A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。