21.7A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

BUK7275-100A,118 MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK Nexperia USA Inc.	5,591 现货	1 : ¥9.44000 剪切带（CT） 10,000 : ¥3.54008 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	21.7A（Tc）	10V	75 毫欧 @ 13A，10V	4V @ 1mA	-	±20V	1210 pF @ 25 V	-	89W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQAF34N25 MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF Fairchild Semiconductor	610 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	21.7A（Tc）	10V	85 毫欧 @ 10.9A，10V	5V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±30V	2750 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3PF	TO-3P-3 整包
BUK9275-100A,118 MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK Nexperia USA Inc.	0 现货	停产	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	21.7A（Tc）	4.5V，10V	72 毫欧 @ 10A，10V	2V @ 1mA	-	±10V	1690 pF @ 25 V	-	88W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SPW24N60CFDFKSA1 MOSFET N-CH 650V 21.7A TO247-3 Infineon Technologies	0 现货	240 : ¥38.01550 管件	CoolMOS™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	21.7A（Tc）	10V	185 毫欧 @ 15.4A，10V	5V @ 1.2mA	143 nC @ 10 V	±20V	3160 pF @ 25 V	-	240W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-1	TO-247-3
FQAF34N25 MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	21.7A（Tc）	10V	85 毫欧 @ 10.9A，10V	5V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±30V	2750 pF @ 25 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3PF	TO-3P-3 整包
SPP24N60CFDHKSA1 MOSFET N-CH 650V 21.7A TO220-3 Infineon Technologies	0 现货	停产	CoolMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	21.7A（Tc）	10V	185 毫欧 @ 15.4A，10V	5V @ 1.2mA	143 nC @ 10 V	±20V	3160 pF @ 25 V	-	240W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-1	TO-220-3