2.6A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SIA456DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 Vishay Siliconix	21,607 现货	1 : ¥7.39000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.05599 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	1.8V，4.5V	1.38 欧姆 @ 750mA，4.5V	1.4V @ 250µA	14.5 nC @ 10 V	±16V	350 pF @ 100 V	-	3.5W（Ta），19W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6
SI2308CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	18,467 现货	1 : ¥3.04000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.82402 卷带（TR）	TrenchFET® Gen IV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	2.6A（Tc）	4.5V，10V	144 毫欧 @ 1.9A，10V	3V @ 250µA	4 nC @ 10 V	±20V	105 pF @ 30 V	-	1.6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IPN60R3K4CEATMA1 MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 Infineon Technologies	19,450 现货	1 : ¥4.02000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.34537 卷带（TR）	CoolMOS™ CE	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	2.6A（Tc）	10V	3.4 欧姆 @ 500mA，10V	3.5V @ 40µA	4.6 nC @ 10 V	±20V	93 pF @ 100 V	-	5W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-SOT223-3	TO-261-4，TO-261AA
IPD60R3K4CEAUMA1 MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3 Infineon Technologies	4,180 现货	1 : ¥4.43000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.49336 卷带（TR）	CoolMOS™ CE	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	2.6A（Tc）	10V	3.4 欧姆 @ 500mA，10V	3.5V @ 40µA	4.6 nC @ 10 V	±20V	93 pF @ 100 V	-	29W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR210PBF MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Vishay Siliconix	13,698 现货	1 : ¥6.49000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFU210PBF MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA Vishay Siliconix	11,317 现货	1 : ¥7.72000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-251AA	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRFR210TRPBF MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Vishay Siliconix	8,158 现货	1 : ¥9.28000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.47788 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FCD2250N80Z MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK onsemi	16,995 现货	1 : ¥12.64000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.31585 卷带（TR）	SuperFET® II	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	2.6A（Tc）	10V	2.25 欧姆 @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 nC @ 10 V	±20V	585 pF @ 100 V	-	39W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFI720GPBF MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3 Vishay Siliconix	980 现货	1 : ¥19.54000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	2.6A（Tc）	10V	1.8 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	410 pF @ 25 V	-	30W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3 全封装，隔离接片
STW3N170 MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3 STMicroelectronics	685 现货	1 : ¥46.47000 管件	PowerMESH™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1700 V	2.6A（Tc）	10V	13 欧姆 @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 100 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
STFW3N170 MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT STMicroelectronics	790 现货	1 : ¥47.12000 管件	PowerMESH™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1700 V	2.6A（Tc）	10V	13 欧姆 @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 100 V	-	63W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3PF	TO-3P-3 整包
IRFR210PBF-BE3 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Vishay Siliconix	2,984 现货	1 : ¥6.49000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	-	1.5 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR210TRPBF-BE3 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Vishay Siliconix	7,885 现货	1 : ¥9.28000 剪切带（CT） 2,000 : ¥3.47788 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	-	1.5 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR210TRLPBF-BE3 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Vishay Siliconix	5,996 现货	1 : ¥9.28000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.83581 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	-	1.5 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR210TRLPBF MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Vishay Siliconix	4,673 现货	1 : ¥9.28000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.47789 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.6A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NDD03N60Z-1G MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK onsemi	0 现货 43,072 市场	停产	-	管件管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	2.6A（Tc）	10V	3.6 欧姆 @ 1.2A，10V	4.5V @ 50µA	12 nC @ 10 V	±30V	312 pF @ 25 V	-	61W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
NDD03N50ZT4G MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK onsemi	0 现货 20,236 市场	停产	-	卷带（TR）剪切带（CT）散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	2.6A（Tc）	10V	3.3 欧姆 @ 1.15A，10V	4.5V @ 50µA	16 nC @ 10 V	±30V	329 pF @ 25 V	-	58W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NDD03N50Z-1G MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK onsemi	0 现货 2,656 市场	停产	-	管件管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	2.6A（Tc）	10V	3.3 欧姆 @ 1.15A，10V	4.5V @ 50µA	10 nC @ 10 V	±30V	274 pF @ 25 V	-	58W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRF613 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	2,940 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	2.6A（Tc）	10V	2.4 欧姆 @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±20V	135 pF @ 25 V	-	43W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
FQD4N50TM MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Fairchild Semiconductor	3,035 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	2.6A（Tc）	10V	2.7 欧姆 @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±30V	460 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPN50R3K0CEATMA1 MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Infineon Technologies	9,048 现货	1 : ¥3.53000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.19614 卷带（TR）	CoolMOS™ CE	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	2.6A（Tc）	13V	3 欧姆 @ 400mA，13V	3.5V @ 30µA	4.3 nC @ 10 V	±20V	84 pF @ 100 V	-	5W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-SOT223-3	TO-261-4，TO-261AA
FQD4N50TF MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK Fairchild Semiconductor	2,257 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	2.6A（Tc）	10V	2.7 欧姆 @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±30V	460 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BUZ76A N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	10,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	400 V	2.6A（Tc）	10V	2.5 欧姆 @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	-	±20V	500 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
FQPF4N60 MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F Fairchild Semiconductor	4,775 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	2.6A（Tc）	10V	2.2 欧姆 @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	20 nC @ 10 V	±30V	670 pF @ 25 V	-	36W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
FQU4N50TU MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Fairchild Semiconductor	27,877 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	2.6A（Tc）	10V	2.7 欧姆 @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±30V	460 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA